Tranzystory polowe (wyszukane: 5443)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
PMV160UP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV160UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 380mOhm | 1,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV20ENR
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV20ENR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV213SN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 30V; 575mOhm; 1,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV213SN,215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1585 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV213SN,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV213SN,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 30V | 575mOhm | 1,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
PMV30UN2R
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2690 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 160mOhm | 4,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV30UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 160mOhm | 4,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV30UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 160mOhm | 4,2A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV30XPEAR
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 57mOhm; 4,5A; 980mW; -55°C ~ 150°C; PMV30XPEAR PMV30XPEAR
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 57mOhm | 4,5A | 980mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV30XPEAR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 57mOhm | 4,5A | 980mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV30XPEAR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 57mOhm | 4,5A | 980mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV30XPEAR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 57mOhm | 4,5A | 980mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV32UP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 930mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV32UP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 73mOhm | 4A | 930mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV32UP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 73mOhm | 4A | 930mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV40UN2R
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 78mOhm | 3,7A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV40UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 78mOhm | 3,7A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV40UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1071000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 78mOhm | 3,7A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV40UN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 78mOhm | 3,7A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV45EN2R
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 4,1A; 1,115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 4,1A | 1,115W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV45EN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 4,1A | 1,115W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV45EN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
498000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 4,1A | 1,115W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV45EN2R Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 4,1A | 1,115W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMV65XP
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 2,8A; 833mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 2,8A | 833mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV65XP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 2,8A | 833mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV65XP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 2,8A | 833mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMV65XP,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 135mOhm | 2,8A | 833mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
PMXB40UNEZ
Tranzystor N-MOSFET; 12V; 8V; 121mOhm; 3,2A; 1,07W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 12V | 8V | 121mOhm | 3,2A | 1,07W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT883 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMXB40UNEZ Obudowa dokładna: SOT883 |
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 12V | 8V | 121mOhm | 3,2A | 1,07W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT883 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMXB40UNEZ Obudowa dokładna: SOT883 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 12V | 8V | 121mOhm | 3,2A | 1,07W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT883 | NXP | |||||||||||||
PSMN057-200B
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 200V; 20V; 165mOhm; 39A; 250W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 200V | 20V | 165mOhm | 39A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN057-200P,127 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 200V | 20V | 165mOhm | 39A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN057-200B,118 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 200V | 20V | 165mOhm | 39A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | ||||||||||||
PSMN1R2-25YLC
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 2,75mOhm; 100A; 179W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
29 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 49 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 2,75mOhm | 100A | 179W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R2-25YLC,115 Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 2,75mOhm | 100A | 179W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
PSMN1R7-60BS NXP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 306W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN1R7-60BS.118;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R7-60BS,118 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R7-60BS,118 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN1R7-60BS,118 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 4,5mOhm | 120A | 306W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
PSMN2R0-25MLDX
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 5,2mOhm; 70A; 74W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 25V | 20V | 5,2mOhm | 70A | 74W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
PSMN4R0-40YS
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 40V; 20V; 8mOhm; 100A; 106W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN4R0-40YS,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 8mOhm | 100A | 106W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PSMN4R0-40YS,115 Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 8mOhm | 100A | 106W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
PV563BA
Tranzystor P-Channel MOSFET; -40V; 25V; 17mOhm; -9,5A; 3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -40V | 25V | 17mOhm | -9,5A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | NIKO SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
R6004KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,36Ohm; 4A; 40W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,36Ohm | 4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
R6007KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 7A; 46W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,2Ohm | 7A | 46W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
R6011KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 720mOhm; 11A; 53W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 720mOhm | 11A | 53W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | |||||||||||||
RD02LUS2
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 2,2A; 15,6W; -40°C ~ 125°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 10V | 2,2A | 15,6W | SMD | -40°C ~ 125°C | SOT89 | Mitsubishi Electric | ||||||||||||||
RD06HVF1
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 3A; 27,8W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1970;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
71 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3A | 27,8W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220 | Mitsubishi Electric | ||||||||||||||
RD3G03BATTL1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 19,1mOhm | 35A | 56W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | ROHM | |||||||||||||
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 105mOhm | 17,5A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) t/r | ROHM | |||||||||||||
RE1C002UNTCL
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 4,8Ohm; 200mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; SC-89, SOT-490
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 4,8Ohm | 200mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT416FL | ROHM | |||||||||||||
RFD14N05LSM
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD14N05LSM9A;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: RFD14N05LSM9A Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1575 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD14N05LSM9A Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
RFD3055LE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 107mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD3055LESM9A;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFD3055LE RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 107mOhm | 11A | 38W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
RFP12N10L
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 10V; 200mOhm; 12A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10166 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: RFP12N10L Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 10V | 200mOhm | 12A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
RFP50N06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
68 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 131W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP50N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
824 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 131W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: RFP50N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 131W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.