Tranzystory polowe (wyszukane: 5443)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLR2908 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TRPBF-TP RoHS || IRLR2908 TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRLR2908TRPBF-TP RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8900 2,5800 2,1400 1,9300 1,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 24mOhm 31A 53,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
GAN063-650WSAQ Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
GAN063-650WSAQ RoHS || GAN063-650WSAQ || GAN063-650WSAQ TO247
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 74,1300 61,3400 58,1400 55,8100 54,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,1282
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
260 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
PMV160UP Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 380mOhm; 1,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV160UP.215;
PMV160UP,215 RoHS || PMV160UP,215 || PMV160UP SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV160UP,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 95+ 380+ 1615+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5760 0,3840 0,3230 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 380mOhm 1,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV160UP,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5730 0,3760 0,3240 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 380mOhm 1,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV160UP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 380mOhm 1,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV160UP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 380mOhm 1,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV160UP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 380mOhm 1,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV20ENR Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
PMV20EN RoHS || PMV20ENR || PMV20ENR SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV20EN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1800 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5950 0,4620 0,4260 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 34mOhm 6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV20ENR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 34mOhm 6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV20ENR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 34mOhm 6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV20ENR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 34mOhm 6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV213SN Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 30V; 575mOhm; 1,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV213SN,215;
PMV213SN,215 RoHS || PMV213SN,215 || PMV213SN SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV213SN,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1585 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8200 1,0000 0,7870 0,7290 0,6990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 30V 575mOhm 1,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV213SN,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 30V 575mOhm 1,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV213SN,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 30V 575mOhm 1,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
PMV30UN2R Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
PMV30UN2R RoHS || PMV30UN2R || PMV30UN2R SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV30UN2R RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2690 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9070 0,5020 0,3330 0,2780 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 160mOhm 4,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV30UN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 12V 160mOhm 4,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV30UN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 12V 160mOhm 4,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV30XPEAR Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 57mOhm; 4,5A; 980mW; -55°C ~ 150°C; PMV30XPEAR PMV30XPEAR
PMV30XPEAR RoHS || PMV30XPEAR || PMV30XPEAR SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV30XPEAR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5800 1,0400 0,7470 0,6400 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 57mOhm 4,5A 980mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV30XPEAR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 57mOhm 4,5A 980mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV30XPEAR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 57mOhm 4,5A 980mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV30XPEAR
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 57mOhm 4,5A 980mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV32UP Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 930mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV32UP.215;
PMV32UP,215 RoHS || PMV32UP,215 || PMV32UP SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV32UP,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1700 0,6190 0,4800 0,4430 0,4240
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 73mOhm 4A 930mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV32UP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4433
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 73mOhm 4A 930mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV40UN2R Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;
PMV40UN2R RoHS || PMV40UN2R || PMV40UN2R SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV40UN2R RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6780 0,4500 0,3760 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 78mOhm 3,7A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV40UN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 12V 78mOhm 3,7A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV40UN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
1071000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 12V 78mOhm 3,7A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV40UN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 12V 78mOhm 3,7A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV45EN2R Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 4,1A; 1,115W; -55°C ~ 150°C;
PMV45EN2R RoHS || PMV45EN2R || PMV45EN2R SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV45EN2R RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2700 0,6950 0,4560 0,3940 0,3630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 66mOhm 4,1A 1,115W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV45EN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 66mOhm 4,1A 1,115W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV45EN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
498000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 66mOhm 4,1A 1,115W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV45EN2R
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 66mOhm 4,1A 1,115W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMV65XP Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 2,8A; 833mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
PMV65XP,215 RoHS || PMV65XP,215 || PMV65XP SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMV65XP,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 135mOhm 2,8A 833mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV65XP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 135mOhm 2,8A 833mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV65XP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 135mOhm 2,8A 833mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMV65XP,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 135mOhm 2,8A 833mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
PMXB40UNEZ Tranzystor N-MOSFET; 12V; 8V; 121mOhm; 3,2A; 1,07W; -55°C ~ 150°C;
PMXB40UNEZ RoHS || PMXB40UNEZ || PMXB40UNEZ SOT883
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PMXB40UNEZ RoHS
Obudowa dokładna:
SOT883
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7690 0,5390 0,4680 0,4380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 12V 8V 121mOhm 3,2A 1,07W SMD -55°C ~ 150°C SOT883 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMXB40UNEZ
Obudowa dokładna:
SOT883
 
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 12V 8V 121mOhm 3,2A 1,07W SMD -55°C ~ 150°C SOT883 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PMXB40UNEZ
Obudowa dokładna:
SOT883
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 12V 8V 121mOhm 3,2A 1,07W SMD -55°C ~ 150°C SOT883 NXP
PSMN057-200B Tranzystor N-MOSFET; 200V; 200V; 20V; 165mOhm; 39A; 250W; -55°C ~ 175°C;
PSMN057-200B RoHS || PSMN057-200P,127 || PSMN057-200B,118 || PSMN057-200B TO263 (D2PAK)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PSMN057-200B RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,6300 6,8500 6,1900 5,8600 5,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 200V 20V 165mOhm 39A 250W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN057-200P,127
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,5390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 200V 20V 165mOhm 39A 250W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN057-200B,118
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 200V 20V 165mOhm 39A 250W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
PSMN1R2-25YLC Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 2,75mOhm; 100A; 179W; -55°C ~ 175°C;
PSMN1R2-25YLC RoHS 1C225L || PSMN1R2-25YLC,115 || PSMN1R2-25YLC LFPAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PSMN1R2-25YLC RoHS 1C225L
Obudowa dokładna:
LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
29 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 49+ 196+
cena netto (PLN) 5,1100 3,9000 3,2300 2,8300 2,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
49
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 25V 20V 2,75mOhm 100A 179W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN1R2-25YLC,115
Obudowa dokładna:
LFPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 25V 20V 2,75mOhm 100A 179W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
PSMN1R7-60BS NXP Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 306W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN1R7-60BS.118;
PSMN1R7-60BS RoHS || PSMN1R7-60BS,118 || PSMN1R7-60BS NXP D2PAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PSMN1R7-60BS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,1700 8,8100 7,6200 7,1300 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 4,5mOhm 120A 306W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN1R7-60BS,118
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 4,5mOhm 120A 306W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN1R7-60BS,118
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 4,5mOhm 120A 306W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN1R7-60BS,118
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 4,5mOhm 120A 306W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
PSMN2R0-25MLDX Tranzystor N-MOSFET; 25V; 25V; 20V; 5,2mOhm; 70A; 74W; -55°C ~ 175°C;
PSMN2R0-25MLD RoHS || PSMN2R0-25MLDX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PSMN2R0-25MLD RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8900 4,5000 3,7200 3,2600 3,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 25V 20V 5,2mOhm 70A 74W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
PSMN4R0-40YS Tranzystor N-MOSFET; 40V; 40V; 20V; 8mOhm; 100A; 106W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: PSMN4R0-40YS,115;
PSMN4R0-40YS RoHS || PSMN4R0-40YS,115 || PSMN4R0-40YS LFPAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
PSMN4R0-40YS RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 40V 20V 8mOhm 100A 106W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
PSMN4R0-40YS,115
Obudowa dokładna:
LFPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 40V 20V 8mOhm 100A 106W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
PV563BA Tranzystor P-Channel MOSFET; -40V; 25V; 17mOhm; -9,5A; 3W; -55°C~150°C;
PV563BA RoHS || PV563BA SOP08
Producent:
NIKO SEMICONDUCTOR
Symbol Producenta:
PV563BA RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 90+ 300+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7000 1,4000 1,2600 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET -40V 25V 17mOhm -9,5A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 NIKO SEMICONDUCTOR
R6004KNX Rohm Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,36Ohm; 4A; 40W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
R6004KNX RoHS || R6004KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
R6004KNX RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0400 3,8400 3,1800 2,7900 2,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 1,36Ohm 4A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ROHM
R6007KNX Rohm Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 7A; 46W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
R6007KNX RoHS || R6007KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
R6007KNX RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,8900 9,1500 8,2400 7,8700 7,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 1,2Ohm 7A 46W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ROHM
R6011KNX Rohm Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 720mOhm; 11A; 53W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
R6011KNX RoHS || R6011KNX Rohm Semiconductor TO220FP
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
R6011KNX RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 9,0700 7,3800 6,4100 5,9400 5,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 720mOhm 11A 53W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ROHM
RD02LUS2 Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 2,2A; 15,6W; -40°C ~ 125°C;
RD02LUS2-T113 RoHS || RD02LUS2 SOT89
Producent:
Mitsubishi
Symbol Producenta:
RD02LUS2-T113 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 24+ 72+
cena netto (PLN) 14,4000 12,7800 11,8000 11,3900 11,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
24
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 10V 2,2A 15,6W SMD -40°C ~ 125°C SOT89 Mitsubishi Electric
RD06HVF1 Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 3A; 27,8W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC1970;
RD06HVF1-501 RoHS || RD06HVF1 TO220
Producent:
Mitsubishi
Symbol Producenta:
RD06HVF1-501 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
71 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 27,7700 23,5700 21,0000 19,2900 18,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 3A 27,8W THT -40°C ~ 150°C TO220 Mitsubishi Electric
RD3G03BATTL1 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C;
RD3G03BATTL1 RoHS || RD3G03BATTL1 TO-252 (D-PAK)
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
RD3G03BATTL1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO-252 (D-PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,2900 5,7800 4,9200 4,5200 4,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 19,1mOhm 35A 56W SMD -55°C ~ 150°C TO-252 ROHM
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63;
RD3P175SNFRATL RoHS || RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TO252 (DPACK) t/r
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
RD3P175SNFRATL RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,2400 6,7100 5,8200 5,4000 5,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 105mOhm 17,5A 20W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) t/r ROHM
RE1C002UNTCL Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 4,8Ohm; 200mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; SC-89, SOT-490
RE1C002UNTCL RoHS QR. || RE1C002UNTCL SOT416FL
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
RE1C002UNTCL RoHS QR.
Obudowa dokładna:
SOT416FL
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8420 0,3350 0,2050 0,1650 0,1530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 4,8Ohm 200mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT416FL ROHM
RFD14N05LSM Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD14N05LSM9A;
RFD14N05LSM RoHS || RFD14N05LSM9A || RFD14N05LSM || RFD14N05LSM TO252 (DPACK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFD14N05LSM RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 4,7000 3,1200 2,5700 2,3400 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
RFD14N05LSM9A
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFD14N05LSM
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1575 szt.
Ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFD14N05LSM9A
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
RFD3055LE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 107mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: RFD3055LESM9A;
RFD3055LE RoHS || RFD3055LE TO251 (IPACK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFD3055LE RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
 
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
cena netto (PLN) 3,7500 2,3700 1,8100 1,6800 1,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 16V 107mOhm 11A 38W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
RFP12N10L Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 10V; 200mOhm; 12A; 60W; -55°C ~ 150°C;
RFP12N10L RoHS || RFP12N10L || RFP12N10L TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP12N10L RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
160 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 10V 200mOhm 12A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP12N10L
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0348
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 10V 200mOhm 12A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP12N10L
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
10166 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0811
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 10V 200mOhm 12A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
RFP12N10L
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3706
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 10V 200mOhm 12A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
RFP50N06 Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 131W; -55°C ~ 175°C;
RFP50N06 RoHS || RFP50N06 || RFP50N06 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP50N06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
68 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0400 5,9600 4,9600 4,8400 4,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 22mOhm 50A 131W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP50N06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
824 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 22mOhm 50A 131W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
RFP50N06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 22mOhm 50A 131W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
1  2  3  4  5  6  7  8  9    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.