Tranzystory polowe (wyszukane: 5468)

1    132  133  134  135  136  137  138  139  140    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SIA429DJT-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA429DJT-T1-GE3 || SIA429DJT-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA429DJT-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9075
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA433EDJ-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55°C ~ 150°C;
SIA433EDJ-T1-GE3 || SIA433EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA433EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9260
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 12A 19W SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIA4371EDJ-T1-GE3 || SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA4371EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5052
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA437DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 12.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA437DJ-T1-GE3 || SIA437DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA437DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA440DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 40V 8.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA440DJ-T1-GE3 || SIA440DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA440DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5719
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA440DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5433
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA440DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5877
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA445EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA445EDJ-T1-GE3 || SIA445EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA445EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0342
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA445EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0125
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA446DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 150V 3.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA446DJ-T1-GE3 || SIA446DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA446DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8464
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA446DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9285
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA447DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA447DJ-T1-GE3 || SIA447DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA447DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6060 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6501
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA447DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6766
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA449DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA449DJ-T1-GE3 || SIA449DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA449DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6791
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA456DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA456DJ-T1-GE3 || SIA456DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA456DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4569
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA459EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA459EDJ-T1-GE3 || SIA459EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA459EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5556
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA461DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 8.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA461DJ-T1-GE3 || SIA461DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA461DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6662 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6791
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA461DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7008
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA461DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7013
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA469DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30 V (D-S)
SIA469DJ-T1-GE3 || SIA469DJ-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA469DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5433
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA469DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5443
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA471DJ VISHAY Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
SIA471DJ-T1-GE3 || SIA471DJ VISHAY PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA471DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8828
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA477EDJT-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 12 V (D-S)
SIA477EDJT-T1-GE3 || SIA477EDJT-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA477EDJT-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6723
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA483DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA483DJ-T1-GE3 || SIA483DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA483DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6791
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA485DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 150V
SIA485DJ-T1-GE3 || SIA485DJ-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA485DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8495
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA517DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA517DJ-T1-GE3 || SIA517DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA517DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9878
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA519EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA519EDJ-T1-GE3 || SIA519EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA519EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7717
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA519EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8001
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA527DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA527DJ-T1-GE3 || SIA527DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
-
Symbol Producenta:
SIA527DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4825
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA537EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA537EDJ-T1-GE3 || SIA537EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA537EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8217
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA817EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA817EDJ-T1-GE3 || SIA817EDJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA817EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6112
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA910EDJ-T1-GE3 Tranzystor 2xN-MOSFET; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8W; -55°C ~ 150°C;
SIA910EDJ-T1-GE3 || SIA910EDJ-T1-GE3 SC70-6
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA910EDJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8791
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 12V 8V 42mOhm 4,5A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
SIA931DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA931DJ-T1-GE3 || SIA931DJ-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA931DJ-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5556
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIA938DJT-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
SIA938DJT-T1-GE3 || SIA938DJT-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIA938DJT-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8161
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIDR668DP VISHAY N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3 || SIDR668DP VISHAY  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIDR668DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5685
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SiHH070N60EF VISHAY N-Channel 600 V 36A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount
SIHH070N60EF-T1GE3 || SiHH070N60EF VISHAY PowerSO08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHH070N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
PowerSO08
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK045N60EF-T1GE3 || SIHK045N60EF-T1GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK045N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,1907
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK055N60E-T1-GE3 || SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK055N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,5872
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK055N60EF-T1GE3 || SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK055N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,0235
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    132  133  134  135  136  137  138  139  140    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.