Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIRA99DP
Tranzystor P-Channel MOSFET; PPAK; 30V; 16V; 47,9A/195A; 1,7mOhm; 6,35W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIRA99DP-T1-GE3;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRA99DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 30V | 20V | 16V | 1,7mOhm | 47,9A | 6,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | ||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRA99DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 30V | 20V | 16V | 1,7mOhm | 47,9A | 6,35W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SO8 | VISHAY | ||||
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRC04DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRC16DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIRC18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRC18DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRC18DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIRS4401DP-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 40V 198A T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIRS4401DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH129DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH402DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SISH410DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH434DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH617DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH625DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISH625DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS04DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS08DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS10ADN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS23DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS23DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS27DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS40DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 39A PP 1212-8S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS42LDN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS42LDN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS65DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS71DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS71DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS71DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SISS94DN-T1-GE3 PowerPAK1212-85
N-Channel 200 V 5.4 A 75 mOhm Surface Mount Mosfet - PowerPAK 1212-8S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SISS94DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD402ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD406ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIUD412ED-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5300DT-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIZF5302DT-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SMUN2111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2111T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2111T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SMUN2213T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2213T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SMUN2214T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SMUN2240T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SMUN2240T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.