Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)

1    136  137  138  139  140  141  142  143  144    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SIRA99DP Tranzystor P-Channel MOSFET; PPAK; 30V; 16V; 47,9A/195A; 1,7mOhm; 6,35W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIRA99DP-T1-GE3;
SIRA99DP-T1-GE3 || SIRA99DP PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRA99DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,2691
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 30V 20V 16V 1,7mOhm 47,9A 6,35W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRA99DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5477
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 30V 20V 16V 1,7mOhm 47,9A 6,35W SMD -55°C ~ 150°C PPAK-SO8 VISHAY
SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
SIRC04DP-T1-GE3 || SIRC04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRC04DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1652
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
SIRC16DP-T1-GE3 || SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRC16DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4651
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIRC18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
SIRC18DP-T1-GE3 || SIRC18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRC18DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3114
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRC18DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIRS4401DP-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 40V 198A T/R
SIRS4401DP-T1-GE3 || SIRS4401DP-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIRS4401DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,3488
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
SISH129DN-T1-GE3 || SISH129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH129DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6298
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
SISH402DN-T1-GE3 || SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH402DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6835
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
SISH410DN-T1-GE3 || SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
-
Symbol Producenta:
SISH410DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1354
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH
SISH434DN-T1-GE3 || SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH434DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1237
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
SISH617DN-T1-GE3 || SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH617DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1112
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
SISH625DN-T1-GE3 || SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH625DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1819
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISH625DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1223
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
SISS04DN-T1-GE3 || SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS04DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7503
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
SISS08DN-T1-GE3 || SISS08DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS08DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0373
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212
SISS10ADN-T1-GE3 || SISS10ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS10ADN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9162
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3 || SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS23DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1421
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS23DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2594
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3 || SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS27DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
SISS40DN-T1-GE3 || SISS40DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS40DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8107
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 39A PP 1212-8S
SISS42LDN-T1-GE3 || SISS42LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS42LDN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2336
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS42LDN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3519
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
SISS65DN-T1-GE3 || SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS65DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3582
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
SISS71DN-T1-GE3 || SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK1212
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS71DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9755
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS71DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1237
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS71DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1691
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SISS94DN-T1-GE3 PowerPAK1212-85 N-Channel 200 V 5.4 A 75 mOhm Surface Mount Mosfet - PowerPAK 1212-8S
SISS94DN-T1-GE3 || SISS94DN-T1-GE3 PowerPAK1212-85 PPAK1212
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS94DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7152
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SISS94DN-T1-GE3
Obudowa dokładna:
PPAK1212
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
SIUD402ED-T1-GE3 || SIUD402ED-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIUD402ED-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
SIUD406ED-T1-GE3 || SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIUD406ED-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4341
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
SIUD412ED-T1-GE3 || SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIUD412ED-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2558
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SIZF5300DT-T1-GE3 || SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIZF5300DT-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SIZF5302DT-T1-RE3 || SIZF5302DT-T1-RE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIZF5302DT-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2818
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SMUN2111T1G Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
SMUN2111T1G || SMUN2111T1G SC-59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2111T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1008
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2111T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SMUN2213T1G Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
SMUN2213T1G || SMUN2213T1G SC-59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2213T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SMUN2214T1G Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
SMUN2214T1G || SMUN2214T1G SC-59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2214T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0957
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2214T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SMUN2240T1G Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive 3-Pin SC-59
SMUN2240T1G || SMUN2240T1G SC-59
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
SMUN2240T1G
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0932
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    136  137  138  139  140  141  142  143  144    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.