Tranzystory polowe (wyszukane: 5468)

1    133  134  135  136  137  138  139  140  141    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK065N60E-T1-GE3 || SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK065N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,6547
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK075N60E-T1-GE3 || SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK075N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,4841
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK075N60EF-T1GE3 || SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK075N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,5477
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK100N65E-T1-GE3 || SIHK100N65E-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK100N65E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
Ilość szt. 16+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 34,0283
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK105N60EF-T1GE3 || SIHK105N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK105N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,2567
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK125N60EF-T1GE3 || SIHK125N60EF-T1GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK125N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,2144
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK125N65E-T1-GE3 || SIHK125N65E-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK125N65E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
50 szt.
Ilość szt. 18+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 30,1760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK155N60EF-T1GE3 || SIHK155N60EF-T1GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK155N60EF-T1GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,5227
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHK185N60E-T1-GE3 || SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHK185N60E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1353
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHLR014-GE3 || SIHLR014-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHLR014-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0168
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHLR120-GE3 LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHLR120TR-GE3 || SIHLR120-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHLR120TR-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0952
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHLU110-GE3 || SIHLU110-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHLU110-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP065N60E-GE3 Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 650V 25A 250W TO220AB VISHAY SIHP065N60E-GE3 Tranzystory z kanałem N THT
SIHP065N60E-GE3 || SIHP065N60E-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP065N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,7617
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP065N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,9340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP065N60E-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,3470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP11N80AE-GE3 MOSFET E SERIES TO-220AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHP11N80AE-GE3 || SIHP11N80AE-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP11N80AE-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0375
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHP12N60E-E3 Vishay Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 380mOhm; 12A; 147W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SIHP12N60E-GE3;
SIHP12N60E-GE3 || SIHP12N60E-E3 Vishay TO220
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP12N60E-GE3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5443
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 600V 30V 10V 380mOhm 12A 147W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP12N60E-GE3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7847
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 600V 30V 10V 380mOhm 12A 147W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIHP24N80AEF-GE3 || SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHP24N80AEF-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,5253
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIHS36N50D-E3 Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 500V 23A 446W SUPER247 VISHAY SIHS36N50D-E3 Tranzystory z kanałem N THT
SIHS36N50D-E3 || SIHS36N50D-GE3 || SIHS36N50D-E3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHS36N50D-E3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
75 szt.
Ilość szt. 75+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,2527
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIHS36N50D-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,4491
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIJA54ADP-T1-GE3 || SIJA54ADP-T1-GES  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJA54ADP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3495
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIJA58ADP VISHAY Trans MOSFET N-CH 40V 32.3A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
SIJA58ADP-T1-GE3 || SIJA58ADP VISHAY  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJA58ADP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5656
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIJA72ADP VISHAY Trans MOSFET N-CH 40V 27.9A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
SIJA72ADP-T1-GE3 || SIJA72ADP VISHAY  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJA72ADP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6977
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIJH600E-T1-GE3 N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIJH600E-T1-GE3 || SIJH600E-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJH600E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,2298
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIJH800E-T1-GE3 N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SIJH800E-T1-GE3 || SIJH800E-T1-GE3  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJH800E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,3675
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIJH800E-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,8467
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
SIR104DP-T1-RE3 || SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR104DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8894
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR106ADP SIR106ADP-T1-RE3
SIR106ADP-T1-RE3 || SIR106ADP  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR106ADP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0633
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR112DP-T1-RE3 || SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR112DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
SIR122DP-T1-RE3 || SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR122DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0373
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR122DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0397
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8
SIR124DP-T1-RE3 || SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR124DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3768
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR150DP SIR150DP-T1-RE3
SIR150DP-T1-RE3 || SIR150DP  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR150DP-T1-RE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6135
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR158DP-T1-GE3 || SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR158DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8708
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
SIR165DP-T1-GE3 || SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SIR165DP-T1-GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7842
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    133  134  135  136  137  138  139  140  141    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.