Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIR167DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR167DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR170DP
SIR170DP-T1-RE3
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR170DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR182DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR182DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR184DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR186DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR186DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 60V
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR188DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR410DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR414DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR414DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR416DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR416DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR416DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 SIR422DP-T1-GE3; ODPOWIEDNIK HTSEMI PTN4080;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR422DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR424DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR426DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR426DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR426DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR438DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR464DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR606BDP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR606BDP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR610DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR610DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20.2A SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR616DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR616DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 51.6A SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR622DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR624DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR626ADP
SIR626ADP-T1-RE3
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR626ADP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR626DP-T1-RE3
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 60V 34 2A 4W PowerPAKR SO8 VISHAY SIR626DP-T1-RE3 Tranzystory z kanałem N SMD
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR626DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR626LDP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A POWERPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR638ADP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR640ADP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR662DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR662DP-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR668ADP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR668DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR668DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR680ADP
Trans MOSFET N-CH 80V 125A 8-Pin PowerPAK SO EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR680ADP-T1-RE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR680DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR680DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SIR692DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR692DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIR692DP-T1-RE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.