Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)

1    138  139  140  141  142  143  144  145  146    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SPB20N60S5 N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
SPB20N60S5ATMA1 || SPB20N60S5 TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB20N60S5ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,3199
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 190mOhm 20A 208W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Siemens
SPB21N50C3ATMA1 Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SPB21N50C3ATMA1 || SPB21N50C3ATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB21N50C3ATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPB80P06P G P-MOSFET 80A 60V 340W 0.023Ω SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1 || SPB80P06P G TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPB80P06PGATMA1
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,4822
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET
SPD04P10PL Infineon P-MOSFET 100V 4.2A 850mΩ 38W
SPD04P10PLGBTMA1 || SPD04P10PL Infineon TO252
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD04P10PLGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD04P10PLGBTMA1
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0495
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPP04N60C3 Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP04N60C3XKSA1
SPP04N60C3XKSA1 || SPP04N60C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP04N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
264 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2474
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPP07N60C3XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP07N60C3HKSA1
SPP07N60C3XKSA1 || SPP07N60C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP07N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
7168 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2027
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPP11N60C3 N-MOSFET 11A 600V 125W 0.38Ω Qg=60nC SPP11N60C3HKSA1 SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1 || SPP11N60C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP11N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
3055 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0861
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP11N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
134 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0376
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP11N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9628
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
SPP15P10PLH Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP15P10PLHXKSA1
SPP15P10PLHXKSA1 || SPP15P10PLH TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP15P10PLHXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1113
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPP17N80C3XKSA1 N-Channel 800V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
SPP17N80C3XKSA1 || SPP17N80C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP17N80C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
5489 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2579
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPP21N50C3XKSA1 Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP21N50C3HKSA1
SPP21N50C3XKSA1 || SPP21N50C3XKSA1 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP21N50C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
160 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,6803
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPW11N80C3 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW11N80C3FKSA1
SPW11N80C3FKSA1 || SPW11N80C3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW11N80C3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
5230 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4487
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPW16N50C3 Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1 || SPW16N50C3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW16N50C3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
521 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5042
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPW20N60C3 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
SPW20N60C3FKSA1 || SPW20N60C3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW20N60C3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
58 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPW35N60C3 N-MOSFET 34.6A 600V 313W 0.1Ω SPW35N60C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1 || SPW35N60C3 TO 3P
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW35N60C3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Magazyn zewnetrzny:
1445 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 20,1145
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
SPW35N60CFD Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW35N60CFDFKSA1
SPW35N60CFDFKSA1 || SPW35N60CFD TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW35N60CFDFKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
1440 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 22,9481
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SPW55N80C3 Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW55N80C3FKSA1
SPW55N80C3FKSA1 || SPW55N80C3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPW55N80C3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
5280 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 27,6504
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 6TSOP SQ3427EV-T1_GE3; SQ3427EV-T1-GE3;
SQ3427EV-T1_GE3 || SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix TSOP66
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQ3427EV-T1_GE3
Obudowa dokładna:
TSOP66
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0125
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ158EP-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP
SQJ158EP-T1_GE3 || SQJ158EP-T1-GE3 PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ158EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3446
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ211ELP Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 33,6A; 68W; -55°C~175°C; Odpowiednik: SQJ211ELP-T1_GE3;
SQJ211ELP-T1_GE3 || SQJ211ELP  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ211ELP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4675
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 30mOhm 33,6A 68W SMD -55°C ~ 175°C SO-8 VISHAY
SQJ402EP-T1-GE3 Vishay N-MOSFET 100V 32A 83W 11mΩ
SQJ402EP-T1_GE3 || SQJ402EP-T1-GE3 Vishay SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ402EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8015
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8
SQJ403BEEP-T1_GE3 || SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ403BEEP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9591
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ403EP-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive PowerPAK8SO
SQJ403EP-T1_GE3 || SQJ403EP-T1-GE3 PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ403EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8015
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
SQJ416EP-T1_GE3 || SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ416EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5891
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO
SQJ418EP-T1_GE3 || SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ418EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ431EP-T1_GE3 || SQJ431AEP-T1_GE3 || SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ431EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7041
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ431AEP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0621
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ431AEP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9664
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
SQJ443EP-T1_GE3 || SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ443EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ457EP-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
SQJ457EP-T1_GE3 || SQJ457EP-T1-GE3 PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ457EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1663
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ457EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1978
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ461EP-T1_GE3 || SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ461EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,3214
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ461EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1486
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ463EP-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK S
SQJ463EP-T1_GE3 || SQJ463EP-T1-GE3 PPAK-SO8
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ463EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
PPAK-SO8
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
SQJ464EP-T1_GE3 || SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQJ464EP-T1_GE3
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6008
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    138  139  140  141  142  143  144  145  146    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.