Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPB20N60S5
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB20N60S5ATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 190mOhm | 20A | 208W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Siemens | |||||
SPB21N50C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB21N50C3ATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPB80P06P G
P-MOSFET 80A 60V 340W 0.023Ω SPB80P06PGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPB80P06PGATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
SPD04P10PL Infineon
P-MOSFET 100V 4.2A 850mΩ 38W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD04P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPD04P10PLGBTMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPP04N60C3
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP04N60C3XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP04N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
264 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPP07N60C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP07N60C3HKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP07N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7168 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPP11N60C3
N-MOSFET 11A 600V 125W 0.38Ω Qg=60nC SPP11N60C3HKSA1 SPP11N60C3XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP11N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3055 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP11N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
134 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP11N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
SPP15P10PLH
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP15P10PLHXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP15P10PLHXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPP17N80C3XKSA1
N-Channel 800V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5489 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPP21N50C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP21N50C3HKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP21N50C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
160 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPW11N80C3
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW11N80C3FKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW11N80C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5230 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPW16N50C3
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW16N50C3FKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW16N50C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
521 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPW20N60C3
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW20N60C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
58 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPW35N60C3
N-MOSFET 34.6A 600V 313W 0.1Ω SPW35N60C3FKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW35N60C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
1445 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
SPW35N60CFD
Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW35N60CFDFKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW35N60CFDFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1440 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SPW55N80C3
Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 SPW55N80C3FKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPW55N80C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5280 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQ3427EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP SQ3427EV-T1_GE3; SQ3427EV-T1-GE3;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3427EV-T1_GE3 Obudowa dokładna: TSOP66 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ158EP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ158EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ211ELP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 33,6A; 68W; -55°C~175°C; Odpowiednik: SQJ211ELP-T1_GE3;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ211ELP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 30mOhm | 33,6A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | SO-8 | VISHAY | |||||
SQJ402EP-T1-GE3 Vishay
N-MOSFET 100V 32A 83W 11mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ402EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ403BEEP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ403EP-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive PowerPAK8SO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ403EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ416EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ418EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 200V
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ431EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ431AEP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ431AEP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ443EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ457EP-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ457EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ457EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ461EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ461EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK S
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ463EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ464EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ464EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.