Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ465EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ476EP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ476EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ479EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ479EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ486EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ860EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 150V
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ872EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ872EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJ886EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA00EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA06EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA20EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA60EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA68EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA80EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJA84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJA84EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJB60EP
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive SQJB60EP-T1_GE3; SQJB60EP-T1_BE3; SQJB60EP-T2_GE3;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJB60EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJB60EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJQ480E-T1_GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SQJQ910EL-T1 PowerPAK5 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SQJQ910EL-T1 GE3
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQJQ910EL-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SSM3J334R TOSHIBA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 71mOhm; 4A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SSM3J334R,LF(T;
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: SSM3J334R,LF(T Obudowa dokładna: SOT23F |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 71mOhm | 4A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23F | TOSHIBA | ||||
SSMJ356R,LF(T
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
|
||||||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: SSM3J356R,LF(T Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB100N6F7
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB100N6F7 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB100N6F7 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB10LN80K5
N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB10LN80K5 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB11N65M5 STMicroelectronics
Tranzystor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB11N65M5 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 710V | 25V | 480mOhm | 9A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | STMicroelectronics | |||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB11N65M5 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 710V | 25V | 480mOhm | 9A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | STMicroelectronics | |||||
STB11NK50Z
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK STB11NK50ZT4
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB11NK50ZT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB140NF75T4
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB140NF75T4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB140NF75T4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB140NF75T4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB141NF55 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB141NF55 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
286000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB14N80K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB14N80K5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB14NK50ZT4
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB14NK50ZT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB14NK50ZT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB150NF55T4
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB150NF55T4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB150NF55T4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB155N3LH6
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB155N3LH6 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STB160N75F3
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB160N75F3 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STB160N75F3 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.