Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3007STRLPBF INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R IRF3007SPBF IRF3007STRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3007STRLPBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF300P226
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF300P226 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP10NM60N
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NM60N Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP110N10F7 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP110N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP110N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP110N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
790 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP11N60DM2
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11N60DM2 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP11N65M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11N65M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP11N65M5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11N65M5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
820 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11N65M5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP11NM60
N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 30nC@10V, 1000pF@25V, 160W Proponowany zamiennik: STP11NM60FD, STP11NM60ND
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11NM60 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
STP11NM60ND
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 25V; 450mOhm; 10A; 90W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11NM60ND Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 450mOhm | 10A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP11NM60ND Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2155 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 450mOhm | 10A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||
STP12N120K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12N120K5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12N120K5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP12N50M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12N50M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP12N60M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12N60M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP12NK80Z
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 750mOhm; 10,5A; 190W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12NK80Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 750mOhm | 10,5A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12NK80Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 750mOhm | 10,5A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP12NK80Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 750mOhm | 10,5A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
STP130N6F7
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP130N6F7 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP130N6F7 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP13N60M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13N60M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
44500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP13N65M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13N65M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13N65M2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP13N95K3 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13N95K3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP13NM60ND STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13NM60ND Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
340 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP13NM60ND Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
850 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP140N6F7 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP140N6F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP140N6F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP140N8F7 STM
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 4,3mOhm; 90A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP140N8F7 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 4,3mOhm | 90A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP140N8F7 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 4,3mOhm | 90A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||
IRF7341GTRPBF
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7341GTRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP150N10F7 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP150N10F7; ODPOWIEDNIK HTSEMI PGP10N037;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP150N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
640 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP150N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1030 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP150N10F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP150NF04 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP150NF04 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP150NF55
N-MOSFET 120A 55V 300W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP150NF55 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15N60M2-EP Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP15N80K5
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15N80K5 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP15N95K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15N95K5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
17690 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15N95K5 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1008 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP15NK50Z
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 340mOhm; 14A; 160W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 340mOhm | 14A | 160W | THT | -50°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
995 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 340mOhm | 14A | 160W | THT | -50°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP15NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 340mOhm | 14A | 160W | THT | -50°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
STP160N3LL STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP160N3LL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP160N3LL Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STP160N75F3 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP160N75F3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.