BSS123-7-F DIODES
Symbol Micros:
TBSS123-7-F Diodes
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123-13-F;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123-7-F RoHS .K23
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2180 | 0,1205 | 0,0801 | 0,0669 | 0,0622 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123-13-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0622 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123-7-F
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
9303000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0622 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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