BSS123-7-F DIODES

Symbol Micros: TBSS123-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123-13-F;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123-7-F RoHS .K23 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2180 0,1205 0,0801 0,0669 0,0622
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123-13-F Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0622
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123-7-F Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
9303000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0622
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD