BSS123 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBSS123 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0836 0,0329 0,0192 0,0141 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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