BSS123 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBSS123 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-11-29
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole