BSS123 smd
Symbol Micros:
TBSS123
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3150 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1900 | 0,0903 | 0,0507 | 0,0385 | 0,0345 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS123
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
534000 stk.
Anzahl Stück | 30000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0380 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
867600 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0380 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BSS123LT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
405000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0380 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole