Hauptseite / Transistoren / Feldeffekttransistoren / BSS123 GALAXY

BSS123 GALAXY

Symbol Micros: TBSS123 GAL

Gehäuse: SOT23

Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	GALAXY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	GALAXY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2131	0,1012	0,0570	0,0432	0,0387

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1782	0,0847	0,0476	0,0361	0,0324

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1195	0,0549	0,0298	0,0223	0,0199

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2178	0,1204	0,0800	0,0669	0,0622

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0901	0,0354	0,0207	0,0152	0,0138

BSS123 GALAXY

Symbol bearbeiten

Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol

Symbol hinzufügen