BSS123 SLKOR

Symbol Micros: TBSS123 SLK
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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