BSS123 NXP
Symbol Micros:
TBSS123 NXP
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123.215;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 250mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
37730 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1483 | 0,0705 | 0,0396 | 0,0302 | 0,0269 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
69000 stk.
Anzahl Stück | 30000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0318 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1062000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0318 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1857000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0318 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 250mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole