BSS123 NXP
Symbol Micros:
TBSS123 NXP
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123.215;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 250mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
7730 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1513 | 0,0719 | 0,0404 | 0,0308 | 0,0275 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
132000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0275 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1704000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0275 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS123,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
50700 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0328 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
Max. Drainstrom: | 150mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 250mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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