BSS84P INFINEON

Symbol Micros: TBSS84p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84PH6327XTSA2 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
43951 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2235 0,1061 0,0596 0,0453 0,0406
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS84P H6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2235 0,1061 0,0596 0,0453 0,0406
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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