2N7002-7-F DIODES

Symbol Micros: T2N7002
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 210mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
81435 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1094 0,0503 0,0272 0,0204 0,0182
Standard-Verpackung:
3000/15000/60000
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 210mA
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD