2N7002-7-F DIODES
Symbol Micros:
T2N7002
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 210mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 210mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 540mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole