2N7002LT1G

Symbol Micros: T2N7002 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002LT3G (10.000 Stück/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1784 0,0848 0,0477 0,0362 0,0324
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002LT7G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
10500 stk.
Anzahl Stück 3500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0324
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Standard-Verpackung:
3500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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