BSS123 GALAXY

Symbol Micros: TBSS123 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2025-01-24
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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