BSS84-7-F

Symbol Micros: TBSS84 DIODES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS84-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1420 0,0674 0,0380 0,0289 0,0258
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 130mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD