BSS84P INFINEON
Symbol Micros:
TBSS84p
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 12Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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