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Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6775)

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SI7898DP-T1-E3 Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO SI7898DP-T1-GE3

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PPAK-SO8

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SI7898DP-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8

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SI7949DP-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO

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SI7949DP-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

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SI8800EDB-T2-E1 Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 4-Pin Micro Foot

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SI8817DB-T2-E1 Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot

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SI9926CDY 2x N-MOSFET 8A 20V 3.1W 0.018Ω SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-E3 SI9926CDY-T1-GE3

Micros Symbol: TSI9926cdy Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

SI9926CDY-T1-E3 || SI9926CDY-T1-GE3 || SI9926CDY

SOP08

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SOP08

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2xN-MOSFET

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2xN-MOSFET

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SOP08

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2xN-MOSFET

SI7157DP-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 46.5A 8-Pin PowerPAK SO EP

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SIA416DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 4.8A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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PPAK-SC70-6

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SIA4265EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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SIA433EDJ-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55 °C ~ 150 °C;

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Datenblatt

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PPAK-SC70-6

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PPAK-SC70-6

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P-MOSFET

20V

12V

65mOhm

12A

19W

SMD

-55°C ~ 150°C

SC70-6

VISHAY

SIA436DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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PPAK-SC70-6

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SIA4371EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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SIA440DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 40V 8.6A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA445EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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PPAK-SC70-6

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SIA441DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 40V 6.6A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA446DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 150V 3.3A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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PPAK-SC70-6

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SIA447DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA447DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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SIA456DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA456DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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SIA461DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 8.3A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA461DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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SIA461DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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SIA469DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30 V (D-S)

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SIA469DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

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SIA469DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

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Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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SIA483ADJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30-V PWRPAK SC-70 Transistors - FETs, MOSFETs - Single

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PPAK-SC70-6

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SIA483ADJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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SIA485DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 150V

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SIA485DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

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SIA527DJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

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SIA527DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,1552

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SIA537EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70

Micros Symbol: TSIA537edj Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

PPAK-SC70-6

Hersteller:
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SIA537EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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51000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,2125

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SIA537EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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3000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,1913

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3000

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SIA817EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 6-Pin PowerPAK SC-70

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PPAK-SC70-6

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA817EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

Externes Lager:
3000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,1423

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3000

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SIA910EDJ-T1-GE3 2xN-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C;

Micros Symbol: TSIA910edj Infos

Datenblatt

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SC70-6

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA910EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SC70-6

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6000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,2174

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2xN-MOSFET

12V

42mOhm

4,5A

7,8W

SMD

-55°C ~ 150°C

SC70-6

VISHAY

SIA906EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70

Micros Symbol: TSIA906edj Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

PPAK-SC70-6

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA906EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,1632

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SIA918EDJ-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 6-Pin PowerPAK SC-70

Micros Symbol: TSIA918edj Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

PPAK-SC70-6

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA918EDJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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3000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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SIA938DJT-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Micros Symbol: TSIA938DJT-T1 Infos Zu favoriten hinzufügen

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIA938DJT-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

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6000 Stk.

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Preis netto (EUR)	0,1901

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SIAA02DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20 V PPAK SC-70 Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Micros Symbol: TSIAA02DJ-T1-GE3 Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

PPAK-SC70-6

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIAA02DJ-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
PPAK-SC70-6

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3000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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SIB4316EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Micros Symbol: TSIB4316EDK-T1-GE3 Infos Zu favoriten hinzufügen

Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SIB4316EDK-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:

Externes Lager:
6000 Stk.

Anzahl der Stücke	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR)	0,1274

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