Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
STD5NK60ZT4 Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD5NK60ZT4 || STD5NK60ZT4 DPAK
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ST
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STD5NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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STD5NK60ZT4
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DPAK
 
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STD5NM50AG Trans MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive T/R
STD5NM50AG || STD5NM50AG DPAK
Hersteller:
ST
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STD5NM50AG
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DPAK
 
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ST
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STD5NM50AG
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DPAK
 
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STD5NM60-1 Trans MOSFET N-CH 600V 5A
STD5NM60-1 || STD5NM60-1 IPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD5NM60-1
Präzisionsgehäuse:
IPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD5NM60-1
Präzisionsgehäuse:
IPAK
 
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ST
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STD5NM60-1
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IPAK
 
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STD60NF06T4 N-MOSFET 60A 60V 110W 0.016Ω
STD60NF06T4 || STD60NF06T4 TO252 (DPACK)
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STD60NF06T4
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TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET
 
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STD60NF06T4
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET
STD6N52K3 Trans MOSFET N-CH 525V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD6N52K3 || STD6N52K3 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD6N52K3
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TO252 (DPACK)
 
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Hersteller:
ST
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STD6N52K3
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TO252 (DPACK)
 
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STD6N60M2 STMicroelectronics N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 1,2 Ohm; 4,5A; 60W; -55 °C ~ 150 °C;
STD6N60M2 || STD6N60M2 STMicroelectronics DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD6N60M2
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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N-MOSFET 600V 25V 1,2Ohm 4,5A 60W SMD -55°C ~ 150°C DPAK STMicroelectronics
STD6NK50ZT4 Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD6NK50ZT4 || STD6NK50ZT4 DPAK
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ST
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STD6NK50ZT4
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DPAK
 
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STD7N60M2 STMicroelectronics N-MOSFET 600V 5A 950mΩ 60W
STD7N60M2 || STD7N60M2 STMicroelectronics DPAK
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ST
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STD7N60M2
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DPAK
 
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STD7N60M2
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DPAK
 
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STD7N80K5 N-MOSFET 6A 800V 110W 1.2Ω
STD7N80K5 || STD7N80K5 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
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STD7N80K5
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TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET 800V 30V 1,2Ohm 6A 110W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPAK) ST
 
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ST
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STD7N80K5
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TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET 800V 30V 1,2Ohm 6A 110W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPAK) ST
STD7NK40ZT4 Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD7NK40ZT4 || STD7NK40ZT4 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
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STD7NK40ZT4
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TO252 (DPACK)
 
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STD7NK40ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD7NK40ZT4
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TO252 (DPACK)
 
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STD80N4F6 Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD80N4F6 || STD80N4F6 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD80N4F6
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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Hersteller:
ST
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STD80N4F6
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DPAK
 
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2500 Stk.
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STD8N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD8N60DM2 || STD8N60DM2 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD8N60DM2
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD8N60DM2
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4994
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STD8N65M5 Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD8N65M5 || STD8N65M5 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD8N65M5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1026
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2500
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STD8N80K5 N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 950 mOhm; 6A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
STD8N80K5 || STD8N80K5 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD8N80K5
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0080
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2500
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N-MOSFET 800V 30V 950mOhm 6A 110W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD8N80K5
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0075
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2500
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N-MOSFET 800V 30V 950mOhm 6A 110W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
STD95N4F3 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD95N4F3 || STD95N4F3  STMicroelectronics DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD95N4F3
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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42500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8258
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2500
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD95N4F3
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
27500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4148
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD95N4F3
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8904
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STD9N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD9N80K5 || STD9N80K5 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD9N80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9838
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD9N80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9722
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STE53NC50 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin ISOTOP
STE53NC50 || STE53NC50  STMicroelectronics ISOTOP
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STE53NC50
Präzisionsgehäuse:
ISOTOP
 
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460 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 19,0924
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10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STE53NC50
Präzisionsgehäuse:
ISOTOP
 
Externes Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 18,0457
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10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STE53NC50
Präzisionsgehäuse:
ISOTOP
 
Externes Lager:
732 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 18,7298
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10
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STF100N10F7 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF100N10F7 || STF100N10F7  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF100N10F7
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1227 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1075
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50
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF100N10F7
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
9900 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0956
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF100N10F7
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1813
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STF10N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N60DM2 || STF10N60DM2  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N60DM2
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2930 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7144
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50
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N60DM2
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6631
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STF10N60M2 Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N60M2 || STF10N60M2  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N60M2
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5351
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STF10N62K3 Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N62K3 || STF10N62K3  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N62K3
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8511
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STF10N65K3 Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N65K3 || STF10N65K3 TO220iso
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N65K3
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5478
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STF10N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N80K5 || STF10N80K5  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF10N80K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3874
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
STF10N95K5 Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF10N95K5 || STF10N95K5  
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ST
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STF10N95K5
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STF10N95K5
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STF10NM60N N-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 550 mOhm; 10A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
STF10NM60N || STF10NM60N TO220iso
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ST
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STF10NM60N
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TO220iso
 
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N-MOSFET 600V 25V 550mOhm 10A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STF11N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF11N60DM2 || STF11N60DM2 TO220iso
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ST
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STF11N60DM2
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TO220iso
 
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STF11N60DM2
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STF11N65M2 Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF11N65M2(045Y)
STF11N65M2 || STF11N65M2 TO220iso
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ST
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STF11N65M2
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STF11N65M5 Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF11N65M5 || STF11N65M5  
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ST
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STF11N65M5
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STF11NM50N Trans MOSFET N-CH 500V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF11NM50N || STF11NM50N TO220FP
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ST
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STF11NM50N
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STF11NM60ND Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF11NM60ND || STF11NM60ND  
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ST
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STF11NM60ND
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STF11NM60ND
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.