Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
STD25NF10 DPAK N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 38mOhm; 25A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STD25NF10T4;
STD25NF10T4 || STD25NF10 DPAK DPAK
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ST
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STD25NF10T4
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DPAK
 
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N-MOSFET 100V 100V 20V 38mOhm 25A 100W SMD -55°C ~ 175°C DPAK STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
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STD25NF10T4
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DPAK
 
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N-MOSFET 100V 100V 20V 38mOhm 25A 100W SMD -55°C ~ 175°C DPAK STMicroelectronics
STD25NF10LT4 Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD25NF10LT4 || STD25NF10LT4 DPAK
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ST
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STD25NF10LT4
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DPAK
 
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ST
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DPAK
 
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ST
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STD25NF10LT4
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DPAK
 
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STD26P3LLH6 STMicroelectronics Trans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD26P3LLH6 || STD26P3LLH6  STMicroelectronics DPAK
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ST
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STD26P3LLH6
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DPAK
 
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ST
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STD26P3LLH6
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ST
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STD26P3LLH6
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DPAK
 
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STD2HNK60Z-1 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
STD2HNK60Z-1 || STD2HNK60Z-1 IPAK
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ST
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STD2HNK60Z-1
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IPAK
 
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ST
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STD2HNK60Z-1
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IPAK
 
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STD2LN60K3 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD2LN60K3 || STD2LN60K3 DPAK
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ST
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STD2LN60K3
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DPAK
 
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STD2N105K5 Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD2N105K5 || STD2N105K5 DPAK
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ST
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STD2N105K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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STD2NK100Z N-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 8,5 Ohm; 1,85A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
STD2NK100Z || STD2NK100Z TO252 (DPACK)
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ST
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STD2NK100Z
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TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET 1000V 30V 8,5Ohm 1,85A 70W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
 
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ST
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STD2NK100Z
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TO252 (DPACK)
 
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N-MOSFET 1000V 30V 8,5Ohm 1,85A 70W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
STD2NK90ZT4 Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD2NK90ZT4 || STD2NK90ZT4 TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
ST
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STD2NK90ZT4
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TO252/3 (DPAK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD2NK90ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD2NK90ZT4
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TO252/3 (DPAK)
 
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STD35NF06LT4 STMicroelectronics N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 20mOhm; 35A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;
STD35NF06LT4 || STD35NF06LT4 STMicroelectronics DPAK
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ST
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STD35NF06LT4
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DPAK
 
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N-MOSFET 60V 60V 16V 20mOhm 35A 80W SMD -55°C ~ 175°C DPAK STMicroelectronics
 
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ST
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STD35NF06LT4
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DPAK
 
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N-MOSFET 60V 60V 16V 20mOhm 35A 80W SMD -55°C ~ 175°C DPAK STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD35NF06LT4
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DPAK
 
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N-MOSFET 60V 60V 16V 20mOhm 35A 80W SMD -55°C ~ 175°C DPAK STMicroelectronics
STD36P4LLF6 Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD36P4LLF6 || STD36P4LLF6 DPAK
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ST
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STD36P4LLF6
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DPAK
 
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ST
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STD36P4LLF6
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DPAK
 
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STD3NK100Z Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD3NK100Z || STD3NK100Z DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD3NK100Z
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DPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD3NK100Z
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DPAK
 
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ST
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STD3NK100Z
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DPAK
 
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STD3NK50ZT4 Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD3NK50ZT4 || STD3NK50ZT4 DPAK
Hersteller:
ST
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STD3NK50ZT4
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DPAK
 
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ST
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STD3NK50ZT4
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DPAK
 
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STD3NK60ZT4 Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD3NK60ZT4 || STD3NK60ZT4 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD3NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD3NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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65000 Stk.
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STD3NK90ZT4 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD3NK90ZT4 || STD3NK90ZT4  STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STD3NK90ZT4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD3NK90ZT4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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42500 Stk.
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STD40NF10 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD40NF10 || STD40NF10  STMicroelectronics DPAK
Hersteller:
ST
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STD40NF10
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD40NF10
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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7500 Stk.
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STD44N4LF6 Trans MOSFET N-CH 40V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD44N4LF6 || STD44N4LF6 DPAK
Hersteller:
ST
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STD44N4LF6
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DPAK
 
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STD45N10F7 Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD45N10F7 || STD45N10F7 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD45N10F7
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD45N10F7
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6111
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STD46P4LLF6 P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 20mOhm; 46A; 70W; -55 °C ~ 175 °C;
STD46P4LLF6 || STD46P4LLF6 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD46P4LLF6
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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2500 Stk.
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P-MOSFET 40V 20V 20mOhm 46A 70W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) STMicroelectronics
STD4LN80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK -55+150°C
STD4LN80K5 || STD4LN80K5 STMicroelectronics DPAK
Hersteller:
ST
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STD4LN80K5
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DPAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD4LN80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STD4N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD4N80K5 || STD4N80K5 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD4N80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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2500
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD4N80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6462
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STD4NK50ZT4 Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD4NK50ZT4 || STD4NK50ZT4 DPAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD4NK50ZT4
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
17500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD4NK50ZT4
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2768
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STD4NK80ZT4 Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STD4NK80ZT4 || STD4NK80ZT4 DPAK
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ST
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STD4NK80ZT4
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DPAK
 
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Hersteller:
ST
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STD4NK80ZT4
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DPAK
 
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ST
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STD4NK80ZT4
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DPAK
 
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STD52P3LLH6 STMicroelectronics P-MOSFET 30V 52A 70W 12mΩ
STD52P3LLH6 || STD52P3LLH6 STMicroelectronics DPAK
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ST
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STD52P3LLH6
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DPAK
 
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STD5N60M2 STMicroelectronics N-MOSFET 600V 3.5A 1.4Ω 45W
STD5N60M2 || STD5N60M2 STMicroelectronics DPAK
Hersteller:
ST
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STD5N60M2
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DPAK
 
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STD5N60M2
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DPAK
 
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STD5N62K3 Trans MOSFET N-CH 620V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD5N62K3 || STD5N62K3 DPAK
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ST
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STD5N62K3
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STD5N62K3
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STD5N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD5N80K5 || STD5N80K5 DPAK
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ST
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STD5N80K5
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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STD5N95K3 Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
STD5N95K3 || STD5N95K3 TO252/3 (DPAK)
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STD5N95K3
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TO252/3 (DPAK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD5N95K3
Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
 
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD5N95K3
Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
 
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Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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2500
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STD5NK40Z-1 Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
STD5NK40Z-1 || STD5NK40Z-1 TO251 (IPACK)
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STD5NK40Z-1
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TO251 (IPACK)
 
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STD5NK40ZT4 N-MOSFET 3A 400V 45W 1.8Ω
STD5NK40ZT4 || STD5NK40ZT4 TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
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STD5NK40ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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N-MOSFET
 
Hersteller:
ST
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STD5NK40ZT4
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TO252 (DPACK)
 
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5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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N-MOSFET
STD5NK50Z N-MOSFET 4.4A 500V 70W 1.5Ω STD5NK50ZT4
STD5NK50ZT4 || STD5NK50Z TO252 (DPACK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STD5NK50ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2226
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2500
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N-MOSFET 500V 500V 30V 1,5Ohm 4,4A 70W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPAK) ST
 
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ST
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STD5NK50ZT4
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TO252 (DPACK)
 
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20000 Stk.
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N-MOSFET 500V 500V 30V 1,5Ohm 4,4A 70W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPAK) ST
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.