Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
STB18N60M2 STMicroelectronics N-MOSFET 600V 13A 280mΩ 110W
STB18N60M2 || STB18N60M2 STMicroelectronics TO263/3 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB18N60M2
Präzisionsgehäuse:
TO263/3 (D2PAK)
 
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Hersteller:
ST
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STB18N60M2
Präzisionsgehäuse:
TO263/3 (D2PAK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB18N60M2
Präzisionsgehäuse:
TO263/3 (D2PAK)
 
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STB18NF25 Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB18NF25 || STB18NF25 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB18NF25
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB18NF25
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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STB18NM80 N-MOSFET 17A 800V 190W 0.295Ω
STB18NM80 || STB18NM80 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB18NM80
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET
 
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ST
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STB18NM80
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TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET
STB19NF20 N-MOSFET 15A 200V 90W 0.16Ω
STB19NF20 || STB19NF20 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB19NF20
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 200V 20V 160mOhm 15A 90W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) ST
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB19NF20
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TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 200V 20V 160mOhm 15A 90W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) ST
STB20N65M5 Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB20N65M5 || STB20N65M5 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB20N65M5
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D2PAK
 
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Hersteller:
ST
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STB20N65M5
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D2PAK
 
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STB23NM50N Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB23NM50N || STB23NM50N D2PAK
Hersteller:
ST
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STB23NM50N
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D2PAK
 
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ST
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STB23NM50N
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D2PAK
 
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ST
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STB23NM50N
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D2PAK
 
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STB24N60DM2 N-MOSFET 18A 650V 150W 0.2Ω
STB24N60DM2 || STB24N60DM2 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB24N60DM2
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TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 650V 25V 200mOhm 18A 150W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK ST
STB24N60M2 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB24N60M2 || STB24N60M2 D2PAK
Hersteller:
ST
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STB24N60M2
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D2PAK
 
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ST
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STB24N60M2
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D2PAK
 
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STB270N4F3 Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB270N4F3 || STB270N4F3 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB270N4F3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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ST
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STB270N4F3
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D2PAK
 
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STB28N65M2 Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB28N65M2 || STB28N65M2 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB28N65M2
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB28N65M2
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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STB30NF10 N-MOSFET 35A 100V 115W 0.045Ω STB30NF10T4
STB30NF10T4 || STB30NF10 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF10T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 100V 20V 45mOhm 35A 115W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK ST
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF10T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 100V 20V 45mOhm 35A 115W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK ST
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF10T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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N-MOSFET 100V 20V 45mOhm 35A 115W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK ST
STB30NF20 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB30NF20 || STB30NF20 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF20
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF20
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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STB30NF20L Trans MOSFET N-CH 200V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB30NF20L || STB30NF20L D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF20L
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0610
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB30NF20L
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0609
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1000
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STB34NM60N Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB34NM60N || STB34NM60N D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB34NM60N
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4329
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB34NM60N
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1221
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STB35N65DM2 STMicroelectronics NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28 -55+150°C
STB35N65DM2 || STB35N65DM2 STMicroelectronics D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB35N65DM2
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,5821
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB35N65DM2
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
14000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3931
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1000
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STB40NF10LT4 Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB40NF10LT4 || STB40NF10LT4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB40NF10LT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5660
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB40NF10LT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5144
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB40NF10LT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5444
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STB40NF20 N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 45mOhm; 40A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
STB40NF20 || STB40NF20 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB40NF20
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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Preis netto (EUR) 1,7415
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1000
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N-MOSFET 200V 20V 45mOhm 40A 160W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB40NF20
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7415
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-MOSFET 200V 20V 45mOhm 40A 160W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
STB42N65M5 N-MOSFET 33A 650V 190W 0.079Ω
STB42N65M5 || STB42N65M5 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB42N65M5
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
13000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 5,8318
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-MOSFET 650V 25V 0,079Ohm 33A 190W SMD -55°C ~ 155°C TO263 (D2PAK) ST
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB42N65M5
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,3547
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N-MOSFET 650V 25V 0,079Ohm 33A 190W SMD -55°C ~ 155°C TO263 (D2PAK) ST
STB45N30M5 STMicroelectronics NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53 -
STB45N30M5 || STB45N30M5 STMicroelectronics D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB45N30M5
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,5130
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB45N30M5
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,5141
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1000
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STB45N60DM2AG Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB45N60DM2AG || STB45N60DM2AG D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB45N60DM2AG
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,5695
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STB47N50DM6AG STMicroelectronics AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V -
STB47N50DM6AG || STB47N50DM6AG STMicroelectronics TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB47N50DM6AG
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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1000
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STB47N60DM6AG STMicroelectronics AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V -
STB47N60DM6AG || STB47N60DM6AG STMicroelectronics TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB47N60DM6AG
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
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1000
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STB4NK60ZT4 N-MOSFET 4A 600V 70W 2Ω
STB4NK60ZT4 || STB4NK60ZT4 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB4NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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10000 Stk.
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N-MOSFET
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB4NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
4000 Stk.
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Preis netto (EUR) 0,3598
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1000
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N-MOSFET
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB4NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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3800 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
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N-MOSFET
STB55NF06T4 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB55NF06T4 || STB55NF06T4  STMicroelectronics TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB55NF06T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB55NF06T4
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TO263 (D2PAK)
 
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39000 Stk.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB55NF06T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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34000 Stk.
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1000
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STB60NF06 N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -65 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB60NF06T4;
STB60NF06T4 || STB60NF06 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB60NF06T4
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TO263 (D2PAK)
 
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44000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7047
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1000
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N-MOSFET 60V 60V 20V 16mOhm 60A 110W SMD -65°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB60NF06T4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7041
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1000
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N-MOSFET 60V 60V 20V 16mOhm 60A 110W SMD -65°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
STB60NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110 W; -65 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STB60NF06LT4;
STB60NF06LT4 || STB60NF06L TO263 (D2PAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB60NF06LT4
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TO263 (D2PAK)
 
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Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8215
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1000
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N-MOSFET 60V 60V 15V 16mOhm 60A 110W SMD -65°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STB60NF06LT4
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TO263 (D2PAK)
 
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18000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7623
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1000
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N-MOSFET 60V 60V 15V 16mOhm 60A 110W SMD -65°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
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STB60NF06LT4
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
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21000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
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N-MOSFET 60V 60V 15V 16mOhm 60A 110W SMD -65°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
STB6NK60ZT4 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB6NK60ZT4 || STB6NK60ZT4 D2PAK
Hersteller:
ST
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STB6NK60ZT4
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D2PAK
 
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2000 Stk.
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB6NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB6NK60ZT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4821
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STB75NF20 Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB75NF20 || STB75NF20 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB75NF20
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,0319
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB75NF20
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
62000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,8833
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB75NF20
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
765 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,9871
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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STB80NF55-06T4 Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK STB80NF55-06T4
STB80NF55-06T4 || STB80NF55-06T4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB80NF55-06T4
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D2PAK
 
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4000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB80NF55-06T4
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D2PAK
 
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0172
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
STB85NF55T4 Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB85NF55T4 || STB85NF55T4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB85NF55T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3438
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB85NF55T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3436
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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1    140  141  142  143  144  145  146  147  148    183

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.