Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8
SQJ465EP-T1_GE3 || SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJ465EP-T1_GE3
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SQJ476EP-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAKSO
SQJ476EP-T1_GE3 || SQJ476EP-T1-GE3 PPAK-SO8
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Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SQJ476EP-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
 
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SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
SQJ479EP-T1_GE3 || SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJ479EP-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
 
 
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SQJ479EP-T1_GE3
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SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
SQJ486EP-T1_GE3 || SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJ486EP-T1_GE3
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SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
SQJ860EP-T1_GE3 || SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJ860EP-T1_GE3
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SQJ872EP-T1_GE3 || SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJ872EP-T1_GE3
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SQJ872EP-T1_GE3
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SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SQJ886EP-T1_GE3 || SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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SQJ886EP-T1_GE3
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SQYES00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
SQJA00EP-T1_GE3 || SQYES00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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SQYES06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 57A POWERPAKSO-8
SQJA06EP-T1_GE3 || SQYES06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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SQJA06EP-T1_GE3
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SQYES20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
SQJA20EP-T1_GE3 || SQYES20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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SQJA20EP-T1_GE3
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SQYES60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
SQJA60EP-T1_GE3 || SQYES60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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SQYES68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO
SQJA68EP-T1_GE3 || SQYES68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJA68EP-T1_GE3
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SQYES80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
SQJA80EP-T1_GE3 || SQYES80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJA80EP-T1_GE3
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SQYES84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
SQJA84EP-T1_GE3 || SQYES84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SQJA84EP-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
 
 
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SQJB60EP Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive SQJB60EP-T1_GE3; SQJB60EP-T1_BE3; SQJB60EP-T2_GE3;
SQJB60EP-T1_GE3 || SQJB60EP PPAK
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Vishay
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SQJB60EP-T1_GE3
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PPAK
 
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Vishay
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SQJB60EP-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
PPAK
 
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SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
SQJQ480E-T1_GE3 || SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix  
Hersteller:
Vishay
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SQJQ480E-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
 
 
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SQJQ910EL-T1 PowerPAK5 VISHAY Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SQJQ910EL-T1 GE3
SQJQ910EL-T1_GE3 || SQJQ910EL-T1 PowerPAK5 VISHAY PPAK-SO8
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SQJQ910EL-T1_GE3
Präzisionsgehäuse:
PPAK-SO8
 
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SSM3J334R TOSHIBA P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 71mOhm; 4A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J334R,LF(T;
SSM3J334R,LF(T || SSM3J334R TOSHIBA SOT23F
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
SSM3J334R,LF(T
Präzisionsgehäuse:
SOT23F
 
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P-MOSFET 30V 10V 20V 71mOhm 4A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23F TOSHIBA
SSMJ356R,LF(T Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
SSM3J356R,LF(T || SSMJ356R,LF(T SOT23-3
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
SSM3J356R,LF(T
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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24000 Stk.
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STB100N6F7 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB100N6F7 || STB100N6F7 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB100N6F7
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB100N6F7
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1000 Stk.
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STB10LN80K5 N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
STB10LN80K5 || STB10LN80K5 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB10LN80K5
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1000 Stk.
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STB11N65M5 STMicroelectronics Transistor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;
STB11N65M5 || STB11N65M5 STMicroelectronics D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB11N65M5
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9446
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N-MOSFET 710V 25V 480mOhm 9A 85W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB11N65M5
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9447
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N-MOSFET 710V 25V 480mOhm 9A 85W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK STMicroelectronics
STB11NK50Z Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK STB11NK50ZT4
STB11NK50ZT4 || STB11NK50Z D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB11NK50ZT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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28000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6124
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STB140NF75T4 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB140NF75T4 || STB140NF75T4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB140NF75T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB140NF75T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7910
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Hersteller:
ST
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STB140NF75T4
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D2PAK
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7623
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STB141NF55 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB141NF55 || STB141NF55  STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB141NF55
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286000 Stk.
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STB14N80K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STB14N80K5 || STB14N80K5  STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB14N80K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6239
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STB14NK50ZT4 Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB14NK50ZT4 || STB14NK50ZT4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB14NK50ZT4
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D2PAK
 
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50000 Stk.
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Preis netto (EUR) 0,6655
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB14NK50ZT4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7187
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STB150NF55T4 Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB150NF55T4 || STB150NF55T4 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB150NF55T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Preis netto (EUR) 1,3955
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB150NF55T4
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3955
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STB155N3LH6 Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
STB155N3LH6 || STB155N3LH6 DPAK
Hersteller:
ST
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STB155N3LH6
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DPAK
 
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STB160N75F3 Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STB160N75F3 || STB160N75F3 D2PAK
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STB160N75F3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,8548
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STB160N75F3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1798
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.