Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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SQJ465EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ465EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ476EP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAKSO
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ476EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: PPAK-SO8 |
Externes Lager:
30000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ479EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ479EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ486EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ860EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 150V
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ872EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ872EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJ886EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA00EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES06EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA06EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
18000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES20EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA20EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA60EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA68EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA80EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQYES84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJA84EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJB60EP
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive SQJB60EP-T1_GE3; SQJB60EP-T1_BE3; SQJB60EP-T2_GE3;
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJB60EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: PPAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJB60EP-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: PPAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJQ480E-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJQ480E-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SQJQ910EL-T1 PowerPAK5 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SQJQ910EL-T1 GE3
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SQJQ910EL-T1_GE3 Präzisionsgehäuse: PPAK-SO8 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SSM3J334R TOSHIBA
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 71mOhm; 4A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J334R,LF(T;
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J334R,LF(T Präzisionsgehäuse: SOT23F |
Externes Lager:
99000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 71mOhm | 4A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23F | TOSHIBA | ||||
SSMJ356R,LF(T
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J356R,LF(T Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
24000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB100N6F7
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB100N6F7 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB100N6F7 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB10LN80K5
N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB10LN80K5 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB11N65M5 STMicroelectronics
Transistor N-Channel MOSFET; 710V; +/-25V; 480mOhm; 9A; 85W; -55°C~150°C;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB11N65M5 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 710V | 25V | 480mOhm | 9A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | STMicroelectronics | |||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB11N65M5 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 710V | 25V | 480mOhm | 9A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | STMicroelectronics | |||||
STB11NK50Z
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK STB11NK50ZT4
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB11NK50ZT4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
28000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB140NF75T4
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB140NF75T4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB140NF75T4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB140NF75T4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB141NF55 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB141NF55 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
286000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB14N80K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB14N80K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB14NK50ZT4
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB14NK50ZT4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
50000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB14NK50ZT4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB150NF55T4
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB150NF55T4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB150NF55T4 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB155N3LH6
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB155N3LH6 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STB160N75F3
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB160N75F3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB160N75F3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.