BC857C,215
Symbol Micros:
TBC857c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC857C,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35900 szt.
ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,2650 | 0,0990 | 0,0530 | 0,0396 | 0,0365 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC857C,235
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
320000 szt.
ilość szt. | 100000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0365 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC857C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
162000 szt.
ilość szt. | 93000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0365 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC857C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
258000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0365 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |