BC857C GALAXY

Symbol Micros: TBC857c GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: GALAXY Symbol producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2700 0,1040 0,0507 0,0403 0,0385
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP