BC857C GALAXY
Symbol Micros:
TBC857c GAL
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | GALAXY |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | GALAXY |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
BC857C,215
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC857C,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
48900 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 | 0,0990 | 0,0530 | 0,0396 | 0,0365 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857CE6327HTSA1
Tranzystor PNP; 800; 330mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857CE6327; BC857CE6433HTMA1;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BC857CE6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2990 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4090 | 0,1610 | 0,0941 | 0,0688 | 0,0629 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857C
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC857C-DIO; BC857C DIOTEC;
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
BC857C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
4850 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2650 | 0,1020 | 0,0498 | 0,0396 | 0,0378 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR
Tranzystor PNP; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BC857CLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4540 | 0,1790 | 0,1040 | 0,0764 | 0,0698 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857C UMW
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BC857C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2120 | 0,0792 | 0,0424 | 0,0317 | 0,0292 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857C SLKOR
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Producent:
SLKOR
Symbol producenta:
BC857C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1880 | 0,0703 | 0,0376 | 0,0281 | 0,0259 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC857C JSMICRO
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
BC857C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2020 | 0,0757 | 0,0405 | 0,0302 | 0,0279 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)