BC857C UMW

Symbol Micros: TBC857c UMW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: UMW
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: UMW Symbol producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2120 0,0792 0,0424 0,0317 0,0292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: UMW
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP