BC857CLT1G ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TBC857c ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC857CLT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1040 0,0764 0,0698
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP