BC857C

Symbol Micros: TBC857c DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC857C-DIO; BC857C DIOTEC;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4850 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2650 0,1020 0,0498 0,0396 0,0378
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC857C Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
64007 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0378
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC857C Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnętrzny:
63000 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0382
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta