BSS84-7-F
Symbol Micros:
TBSS84 DIODES
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6050 | 0,2870 | 0,1620 | 0,1230 | 0,1100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84-13-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
300000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
795000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS84-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
2148000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 50V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
BSS84,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2475 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Sposób pakowania: 3000/90000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
65000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
22000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1190 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Nexperia
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
120000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1190 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
2840 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 0,1589 |
Sposób pakowania: 1
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
43751 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,4520 | 0,2540 | 0,1930 | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9520 | 0,4520 | 0,2540 | 0,1930 | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
1499400 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
222400 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
10000 szt.
| Ilość szt. | 10000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1730 |
Sposób pakowania: 10000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
7859 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8150 | 0,4130 | 0,2500 | 0,1980 | 0,1810 |
Sposób pakowania: 3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
12000 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
687000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
210000 szt.
| Ilość szt. | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2590 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
SHIKUES
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4230 | 0,1670 | 0,0973 | 0,0711 | 0,0650 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4360 | 0,1720 | 0,1000 | 0,0733 | 0,0670 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS84 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2500 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4170 | 0,1640 | 0,0959 | 0,0702 | 0,0641 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4480 | 0,1770 | 0,1030 | 0,0754 | 0,0689 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 MLCCBASE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS84 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie
BSS84 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Pozycja dostępna na zamówienie