BSS84 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBSS84 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4480 0,1770 0,1030 0,0754 0,0689
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD