BSS84 GALAXY

Symbol Micros: TBSS84 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: GALAXY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: GALAXY Symbol producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4170 0,1640 0,0959 0,0702 0,0641
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: GALAXY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD