BSS84PH6327XTSA2

Symbol Micros: TBSS84p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS84PH6327XTSA2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
43751 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS84P H6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1499400 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
222400 szt.
ilość szt. 100+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSS84PH7894XTMA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
ilość szt. 10000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 12Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD