BSS84,215
Symbol Micros:
TBSS84 NXP
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
975 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSS84,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
44800 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,6550 | 0,3110 | 0,1750 | 0,1330 | 0,1190 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1190 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSS84,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
735000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1190 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-10
Ilość szt.: 108000
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 130mA |
Maksymalna tracona moc: | 225mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | NXP |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |
Opis szczegółowy
Producent: ON SEMICONDUCTOR / DIOTEC / FAIRCHILD / DIODES
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Napięcie dren-źródło: -50V
Prąd drenu: 130mA
Moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Montaż: SMD