Tranzystory IGBT (wyszukane: 334)

1    4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HS1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 50A; prąd kolektora w impulsie: 200A; moc: 297W
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH50N65HF1
  650V 20V 50A 200A 297W 4,2V ~ 5,8V 308nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HF1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-4 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Transistor IGBT; THT; TO247-3; technologia: Field Stop, SiC SBD, Trench Napięcie kolektor: 650V; napięcie bramka: 20V; prąd kolektora: 75A; prąd kolektora w impulsie: 300A; moc: 405W
BGH75N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Rys.TBGH75N65HS1
  650V 20V 75A 300A 405W 4,2V ~ 5,8V 444nC TO247-3 THT BASiC SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    4  5  6  7  8  9  10  11  12 

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję