Tranzystory IGBT (wyszukane: 333)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW50N65H5FKSA1
IGBT 650V 80A 305W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
138 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N65H5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
129 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120nC | TO247 | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||
IGW15N120FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW15T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
12 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGW50N60TPXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGW50N60TPXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
20 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKB06N60TATMA1 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
765 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW50N65F5
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A IKW50N65F5AXKSA1 IKW50N65F5FKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1320 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65F5FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
114 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGB15N60T
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK IGB15N60TATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGB15N60TATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
805 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IGP06N60TXKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IGP06N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
44 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ISL9V5036S3ST
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK ISL9V5036S3ST-SB82065 ISL9V5036P3_F085
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: ISL9V5036S3ST Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NGTB15N120FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 294000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NGTB15N120FL2WG Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
120 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB10NB37LZ TO263=D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A STGB10NB37LZT4
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NB37LZT4 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD10HF60KD STMicroelectronics
IGBT 600V 10A 62.5W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD10HF60KD Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD10HF60KD Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD6M65DF2 STMicroelectronics
IGBT 650V 12A 88W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD6M65DF2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD6M65DF2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
7490 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD7NB60ST4 STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 55W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD7NB60ST4 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 62W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD8NC60KDT4 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB20NB41LZT4
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB20NB41LZT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB25N40LZAG
Trans IGBT Chip N-CH 400V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB25N40LZAG Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB25N40LZAG Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB30M65DF2 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB30M65DF2 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD18N40LZT4 STM
Trans IGBT Chip N-CH 360V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD18N40LZT4 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD20N45LZAG
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD20N45LZAG Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGE200NB60S
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 600000mW 4-Pin ISOTOP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGE200NB60S Obudowa dokładna: ISOTOP |
Magazyn zewnetrzny:
10 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGE200NB60S Obudowa dokładna: ISOTOP |
Magazyn zewnetrzny:
2280 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NC60KD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
11900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF3NC120HD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF3NC120HD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF3NC120HD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF5H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 24000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF5H60DF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF5H60DF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1433500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF6NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STGF6NC60HD(040Y)
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF6NC60HD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGP10M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGP10M65DF2 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGP19NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGP19NC60HD Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW60V60DF STMicroelectronics
80A; 600V; 375W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW60V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
990 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW60V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
454 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW60V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW30NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW30NC60VD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW30NC60VD Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW80V60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW80V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWT40H65DFB STMicroelectronics
80A; 650V; 283W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWT40H65DFB Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
1380 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję