Tranzystory IGBT (wyszukane: 346)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65F5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
195 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W TO220-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
3348 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKP40N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
283 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 160A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ120N60TXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
101 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ50N120CT2XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKQ75N120CH3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IKQ75N120CH3XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ75N120CH3XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
38 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKQ75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 75A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ75N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
265 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 150A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKQ75N120CT2XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 16A 70W TO247-3 TrenchStop -40+150°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW08T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
372 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW15N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW15N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
122 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 60A | 235W | 5,2V ~ 6,4V | 93nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||
IKW15T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 110W; 5,0V~6,5V; 85nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW15T120FKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW15T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
71 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 30A | 45A | 110W | 5,0V ~ 6,5V | 85nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||
IKW25T120
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 50A | 75A | 190W | 5,0V ~ 6,5V | 155nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW25T120FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
191 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1200V | 20V | 50A | 75A | 190W | 5,0V ~ 6,5V | 155nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 150°C | ||||
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 53A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW30N60DTPXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
415 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW30N65ES5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
201 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW30N65ES5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW30N65H5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
323 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
428 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65ES5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
80 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65ES5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65WR5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
193 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 80A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW60N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
130 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 428W TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N60H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N65EH5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
210 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 TrenchStop 5 -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N65EL5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
540 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A TO247PLUS TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKY40N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
325 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKY50N120CH3
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW Tube IKY50N120CH3XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKY50N120CH3XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
75 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKY75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 75A TO247PLUS TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKY75N120CS6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
474 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IHW30N135R5
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 IHW30N135R5XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IHW30N135R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
MKI50-12F7
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 350000mW 12-Pin
|
||||||||||||||||
Producent:
IXYS Symbol Producenta: MKI50-12F7 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NGTB40N120FL3WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NGTB40N120FL3WG Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
5565 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NGTB40N120FL3WG Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
11340 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB10NC60HD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: STGB10NC60HDT4;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 20A | 30A | 65W | 3,75V ~ 5,75V | 19,2nC | D2PAK | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60HDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
430 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 20A | 30A | 65W | 3,75V ~ 5,75V | 19,2nC | D2PAK | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C | |||||
STGB10NC60KDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60KDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60KDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB10NC60KDT4 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
1130 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10NB60SD STMicroelectronics
Trans IGBT ; 600V; 20V; 23A; 80A; 25W; 2,5V~5,0V; 33nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 23A | 80A | 25W | 2,5V ~ 5,0V | 33nC | TO220FP | THT | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
6300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 23A | 80A | 25W | 2,5V ~ 5,0V | 33nC | TO220FP | THT | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C | ||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10NB60SD Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
47 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 23A | 80A | 25W | 2,5V ~ 5,0V | 33nC | TO220FP | THT | STMicroelectronics | -55°C ~ 150°C |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję