Tranzystory IGBT (wyszukane: 368)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    13
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
15T65SD JUXING Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
15T65SD RoHS || 15T65SD JUXING TO220iso
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
15T65SD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 30A 60A 37,5W 4,5V ~ 6,5V 21,1nC TO220iso THT JUXING -40°C ~ 175°C
BGN40Q120SD BYD Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Producent:
BYD
Symbol Producenta:
BGN40Q120 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,2900 12,6900 11,7400 11,2600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 80A 160A 428W 5,0V ~ 7,0V 142nC TO247 THT BYD -40°C ~ 175°C
DGF30F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGF30F65M2 RoHS || DGF30F65M2 DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGF30F65M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3000 3,7100 2,9700 2,8800 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
650V 30V 60A 180A 60W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO220iso THT Donghai -45°C ~ 175°C
DHG20T65D DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
DHG20T65D RoHS || DHG20T65D DONGHAI TO220iso
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DHG20T65D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8100 3,2000 2,4700 2,3900 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 40A 60A 96W 4,5V ~ 7,0V 59nC TO220iso THT Donghai -55°C ~ 150°C
DGN30F65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
DGN30F65M2 RoHS || DGN30F65M2 DONGHAI TO 3PN
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGN30F65M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3PN
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5000 3,7000 3,5600 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 30V 60A 180A 230W 5,0V ~ 7,0V 48nC TO 3PN THT Donghai -45°C ~ 175°C
SL15T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
SL15T120FL RoHS || SL15T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL15T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,6300 5,6600 4,8300 4,5500 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 30A 40A 125W 4,5V ~ 6,5V 70nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL25T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
SL25T120FL RoHS || SL25T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL25T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 10,3400 8,2100 7,2800 6,9600 6,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 50A 60A 350W 4,5V ~ 6,5V 120nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
SL40T120FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
SL40T120FL RoHS || SL40T120FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL40T120FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 12,5900 10,3700 9,4400 9,0900 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 80A 160A 718W 4,5V ~ 6,5V 165nC TO247 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
SL40T65FL SLKOR Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
SL40T65FL RoHS || SL40T65FL SLKOR TO247
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL40T65FL RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 9,4400 7,4900 6,6500 6,3500 6,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 160A 375W 4,0V ~ 6,0V 219nC TO247 THT SLKOR -40°C ~ 175°C
SL50T120FZ SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
SL50T120FZ RoHS || SL50T120FZ SLKOR TO264
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL50T120FZ RoHS
Obudowa dokładna:
TO264
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,8100 13,1600 12,1800 11,6900 11,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 100A 200A 535W 4,5V ~ 6,5V 311nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
SL75T120FZ SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
SL75T120FZ RoHS || SL75T120FZ SLKOR TO264
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
SL75T120FZ RoHS
Obudowa dokładna:
TO264
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 21,9500 20,2200 19,1600 18,6200 18,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 115A 230A 625W 4,5V ~ 6,5V 270nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 150°C
IM393M6FXKLA1 IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
IM393M6FXKLA1 RoHS || IM393M6FXKLA1 SIP22
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IM393M6FXKLA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SIP22
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 44,2600 39,5300 36,1700 33,1600 30,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
600V 5V 10A 15A 20W 13,5V ~ 16,5V SIP22 THT Infineon Technologies -40°C ~ 125°C
AOT10B60D Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
AOT10B60D RoHS || AOT10B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT10B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
13 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,7800 4,4100 3,6500 3,2000 3,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 10A 40A 163W 5,6V 17,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
AOT15B60D Tranzystor IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
AOT15B60D RoHS || AOT15B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT15B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,4800 5,9700 5,1100 4,5900 4,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 30A 60A 167W 5,6V 25,4nC TO220 THT ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
FGA60N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C; OBSOLETE
FGA60N60UFDTU RoHS || FGA60N60UFDTU TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N60UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 27,9400 25,7300 24,3800 23,7000 23,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 120A 180A 298W 4,0V ~ 6,5V 188nC TO-3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGA60N65SMD Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
FGA60N65SMD RoHS || FGA60N65SMD TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N65SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 180+
cena netto (PLN) 18,8100 16,1600 14,9500 14,7100 14,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO 3P THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-07
Ilość szt.: 150
                     
FGAF40N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
FGAF40N60SMD RoHS || FGAF40N60SMD || FGAF40N60SMD TO 3Piso
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGAF40N60SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3Piso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
22 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,3300 19,6200 17,3900 16,2800 15,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 115W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO-3Piso THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGAF40N60SMD
Obudowa dokładna:
TO 3Piso
 
Magazyn zewnętrzny:
330 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
360
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 115W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO-3Piso THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
FGH20N60SFDTU RoHS || FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH20N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
52 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,4100 12,9600 11,4900 10,7500 10,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 60A 165W 4,0V ~ 6,5V 65nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60SFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N60SFDTU RoHS || FGH40N60SFDTU || FGH40N60SFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
cena netto (PLN) 17,0700 14,6700 13,5600 13,2500 13,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SFDTU
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
360 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SFDTU
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
120 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N60UFDTU RoHS || FGH40N60UFDTU || FGH40N60UFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 18,0600 16,0400 14,8300 14,2300 13,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60UFDTU
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60UFDTU
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
720 szt.
Ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N65UFDTU Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N65UFDTU RoHS || FGH40N65UFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N65UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
cena netto (PLN) 33,0200 30,9500 29,6500 28,9800 28,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40T120SMD TO-247-3L Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
FGH40T120SMD RoHS || FGH40T120SMD || FGH40T120SMD TO-247-3L TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40T120SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 33,2200 31,2000 29,9300 29,2700 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40T120SMD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40T120SMD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
390 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40T120SMD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
3778 szt.
Ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH60N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
FGH60N60SMD RoHS || FGH60N60SMD || FGH60N60SMD TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH60N60SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
22 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,8700 21,9800 20,8200 20,2300 19,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH60N60SMD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH75T65UPD TO247AB Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
FGH75T65UPD RoHS || FGH75T65UPD || FGH75T65UPD TO247AB TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH75T65UPD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,7900 20,9800 19,8700 19,3100 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH75T65UPD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
420 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH75T65UPD
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
2250 szt.
Ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
HGTG11N120CND Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
HGTG11N120CND RoHS || HGTG11N120CND TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG11N120CND RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 17,4100 15,4700 14,3000 13,7200 13,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 43A 80A 298W 6,0V ~ 6,8V 150nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG12N60A4D Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
HGTG12N60A4D RoHS || HGTG12N60A4D TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,1900 20,4300 19,3500 18,8000 18,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 30+ 93+
cena netto (PLN) 27,1800 23,0500 20,6900 19,2400 18,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IHW30N160R5XKSA1 Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
IHW30N160R5XKSA1 RoHS || IHW30N160R5XKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 28,9100 24,5200 21,8200 20,4500 19,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
HGTG40N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
HGTG40N60A4 RoHS || HGTG40N60A4 || HGTG40N60A4 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG40N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
19 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 45,7000 39,2700 35,2600 33,1700 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG40N60A4
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG40N60A4
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnętrzny:
60 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTP20N60A4 Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTP20N60A4 RoHS || HGTP20N60A4 TO220
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
HGTP20N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
19 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 11,6100 10,0300 9,1000 8,5100 8,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO220 THT ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
IGB10N60TATMA1 RoHS || IGB10N60TATMA1 || IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGB10N60TATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
37 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,0600 4,2400 3,6100 3,3000 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 24A 30A 110W 4,1V ~ 5,7V 62nC TO263 (D2PAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGB10N60TATMA1
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnętrzny:
2290 szt.
Ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9212
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 24A 30A 110W 4,1V ~ 5,7V 62nC TO263 (D2PAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
1  2  3  4  5  6  7  8  9    13

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję