Tranzystory IGBT (wyszukane: 333)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    12
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IKW40N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120T2FKSA1;
IKW40N120T2 RoHS || IKW40N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N120T2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 36,8700 30,1100 27,0400 26,3000 25,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 75A 160A 480W 5,2V ~ 6,4V 192nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40N65H5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N65H5AXKSA1;
IKW40N65H5 RoHS || IKW40N65H5FKSA1 || IKW40N65H5FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N65H5 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
cena netto (PLN) 20,5500 16,7900 15,0300 14,4900 13,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 74A 120A 250W 3,2V ~ 4,8V 95nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40N65H5FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
211 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
650V 20V 74A 120A 250W 3,2V ~ 4,8V 95nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW40T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IKW40T120FKSA1;
IKW40T120FKSA1 RoHS || IKW40T120 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW40T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 35,5400 30,1400 26,8300 25,1400 24,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 75A 105A 270W 5,0V ~ 6,5V 203nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IKW50N60H3 Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N60H3FKSA1;
IKW50N60H3 RoHS || IKW50N60H3FKSA1 || IKW50N60H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N60H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,7500 11,8200 10,6800 10,1300 9,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 100A 200A 333W 4,1V ~ 5,7V 315nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N60H3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
11 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,3413
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 100A 200A 333W 4,1V ~ 5,7V 315nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW50N65H5 Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N65H5FKSA1;
IKW50N65H5FKSA1 RoHS || IKW50N65H5FKSA1 || IKW50N65H5 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N65H5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
101 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 22,9300 19,2900 17,0900 16,0000 15,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 150A 305W 3,2V ~ 4,8V 120nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N65H5FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
385 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 150A 305W 3,2V ~ 4,8V 120nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IKW75N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Odpwowiednik: IKW75N60TFKSA1;
IKW75N60T RoHS || IKW75N60TFKSA1 RoHS || IKW75N60TFKSA1 || IKW75N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW75N60T RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 21,5900 19,8800 18,8300 18,3000 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW75N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 21,5900 19,3900 18,3500 18,1400 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW75N60TFKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
20 szt.
Ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,9497
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
600V 20V 80A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 THT Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IRG4BC20FD Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20FDPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,0800 12,5200 11,5800 11,1100 10,8300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 16A 64A 60W 3,0V ~ 6,0V 40nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC20KD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
IRG4BC20KD-S RoHS || IRG4BC20KD-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20KD-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,6000 5,2600 4,5000 4,0500 3,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 16A 32A 60W 3,0V ~ 6,0V 51nC TO263 (D2PAK) International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC20S Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
IRG4BC20S RoHS || IRG4BC20S TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC20S RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,1800 6,0700 5,3000 4,9300 4,8100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 19A 38A 60W 3,0V ~ 6,0V 40nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30FD-S Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30FD-S RoHS || IRG4BC30FD-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30FD-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
27 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 10,5800 8,8700 7,8900 7,2800 7,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 31A 120A 100W 3,0V ~ 6,0V 77nC TO263 (D2PAK) SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30K Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
IRG4BC30K RoHS || IRG4BC30K TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30K RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3800 3,7200 3,4000 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 28A 58A 100W 3,0V ~ 6,0V 100nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30KD Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
IRG4BC30KD RoHS || IRG4BC30KD TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30KD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
47 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,8800 12,3900 11,4900 10,9100 10,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 28A 58A 100W 3,0V ~ 6,0V 100nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30S-S Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4BC30S-STRLP;
IRG4BC30S-S RoHS || IRG4BC30S-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30S-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,9000 8,3000 7,3800 6,8100 6,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 34A 68A 100W 3,0V ~ 6,0V 75nC TO263 (D2PAK) SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30U Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30UPBF;
IRG4BC30UPBF RoHS || IRG4BC30U TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30UPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,3800 10,3000 9,0700 8,2900 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 23A 92A 100W 3,0V ~ 6,0V 75nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC30W Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 76nC; -55°C~150°C; IRG4BC30WPBF;
IRG4BC30W RoHS || IRG4BC30W TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC30W RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,3900 7,0300 6,2500 5,7700 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 23A 92A 100W 3,0V ~ 6,0V 76nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC40F Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 49A; 200A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40FPBF;
IRG4BC40F RoHS || IRG4BC40F TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC40F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,9900 11,5200 10,5900 10,1000 9,9900
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 49A 200A 160W 3,0V ~ 6,0V 150nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC40S Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40SPBF
IRG4BC40SPBF RoHS || IRG4BC40S TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC40SPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,8900 15,0100 13,8900 13,3300 12,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 60A 120A 160W 3,0V ~ 6,0V 150nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC40W Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 147nC; -55°C~150°C;
IRG4BC40W RoHS || IRG4BC40W TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC40W RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,6500 11,2500 10,2400 9,8600 9,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 160A 160W 3,0V ~ 6,0V 147nC TO220 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BC40W-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 160W; 3,0V~6,0V; 147nC; -55°C~150°C; IRG4BC40W-SPBF;
IRG4BC40W-S RoHS || IRG4BC40W-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BC40W-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,8500 10,6200 9,3100 8,6700 8,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 160A 160W 3,0V ~ 6,0V 147nC TO263 (D2PAK) SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BH20K-LPBF Trans IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;
IRG4BH20K-LPBF || IRG4BH20K-LPBF TO262
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRG4BH20K-LPBF
Obudowa dokładna:
TO262
 
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,5700 6,0000 5,1000 4,6900 4,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 11A 22A 60W 3,5V ~ 6,5V 43nC TO262 THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4BH20K-S Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;
IRG4BH20K-S RoHS || IRG4BH20K-S TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4BH20K-S RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 11A 22A 60W 3,5V ~ 6,5V 43nC TO263 (D2PAK) SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4PC30U Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C;
IRG4PC30U RoHS || IRG4PC30U TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4PC30U RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 13,2900 10,9500 9,9700 9,5900 9,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 23A 92A 100W 3,0V ~ 6,0V 75nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4PC40K Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 42A; 84A; 160W; 3,0V~6,0V; 180nC; -55°C~150°C; IRG4PC40KPBF;
IRG4PC40KPBF RoHS || IRG4PC40K TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4PC40KPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2400 13,9600 12,9800 12,6000 12,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 42A 84A 160W 3,0V ~ 6,0V 180nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4PH50K Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 90A; 200W; 3,0V~6,0V; 270nC; -55°C~150°C;
IRG4PH50KPBF RoHS || IRG4PH50K TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4PH50KPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 18,1900 16,1700 14,9600 14,3500 13,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 45A 90A 200W 3,0V ~ 6,0V 270nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4RC10SDPBF Infineon Trans IGBT ; 600V; 20V; 14A; 18A; 38W; 3,0V~6,0V; 22nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4RC10SDTRPBF;
IRG4RC10SD RoHS || IRG4RC10SDPBF Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4RC10SD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5000 2,0700 1,8800 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 14A 18A 38W 3,0V ~ 6,0V 22nC TO252/3 (DPAK) SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4RC10UDTRRP Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 8,5A; 34A; 38W; 3,0V~6,0V; 22nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG4RC10UDTRLP; IRG4RC10UDTRP;
IRG4RC10UDTRRP RoHS || IRG4RC10UDTRRP Infineon Technologies DPAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4RC10UDTRRP RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,3500 4,8400 4,0100 3,5100 3,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 8,5A 34A 38W 3,0V ~ 6,0V 22nC DPAK SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG4RC20FPBF Trans IGBT ; 600V; 20V; 22A; 44A; 66W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C;
IRG4RC20F RoHS || IRG4RC20FPBF DPAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG4RC20F RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,3500 4,8400 4,0100 3,5100 3,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 22A 44A 66W 3,0V ~ 6,0V 40nC DPAK SMD International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG7PH35UD1 Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 50A; 150A; 179W; 3,0V~6,0V; 130nC; -55°C~150°C;
IRG7PH35UD1 RoHS || IRG7PH35UD1 TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG7PH35UD1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
13 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 15,8200 13,6000 12,6500 12,2800 12,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 50A 150A 179W 3,0V ~ 6,0V 130nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG7PH42UDPBF Trans IGBT ; 1200V; 30V; 85A; 90A; 320W; 3,0V~6,0V; 236nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRG7PH42UD-EP;
IRG7PH42UD RoHS || IRG7PH42UDPBF TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG7PH42UD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 44,8600 40,0700 36,6600 33,6100 31,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 85A 90A 320W 3,0V ~ 6,0V 236nC TO247AC THT International Rectifier -55°C ~ 150°C
IRG7PH50UPBF Trans IGBT ; 1200V; 30V; 140A; 150A; 556W; 3,0V~6,0V; 440nC; -55°C~175°C;
IRG7PH50U RoHS || IRG7PH50UPBF TO247AC
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRG7PH50U RoHS
Obudowa dokładna:
TO247AC
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 40,0300 35,7500 32,7100 29,9900 27,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 30V 140A 150A 556W 3,0V ~ 6,0V 440nC TO247 THT International Rectifier -55°C ~ 175°C
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    12

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję