Tranzystory IGBT (wyszukane: 373)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGW40H120DF2 STMicroelectronics
40A; 1200V; 468W
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40H120DF2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
3450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40H120DF2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
720 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW40H65DFB STMicroelectronics
80A; 650V; 283W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40H65DFB Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
570 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40H65DFB Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
10620 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW40H65DFB-4
40A; 650V; 200W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40H65DFB-4 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW40M120DF3 STMicroelectronics
80A; 1200V; 468W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
2700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGW40V60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
3030 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGW40V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
445 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA25H120DF2 STMiicroelectronics
25A; 1200V; 375W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25H120DF2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
6720 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA25H120F2 STMicroelectronics
25A; 1200V; 375W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25H120F2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
15060 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA40H120DF2 STMicroelectronics
80A; 1200V; 468W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H120DF2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
3570 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA40H120F2 STMicroelectronics
40A; 1200V; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H120F2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40H120F2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
8590 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA40M120DF3 STMicroelectronics
80A; 1200V; 468W; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA40M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA60V60DF STMicroelectronics
60A; 600V; IGBT
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA60V60DF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGYA120M65DF2AG
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) Max247
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGYA120M65DF2AG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
25320 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW40N65RH5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
720 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65RH5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65SS5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N65SS5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKWH30N65WR6
IGBT TRENCH IKWH30N65WR6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKWH30N65WR6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DDB6U104N16RRBPSA1 Infineon Technologies
LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211 transistors - igbts - modules
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: DDB6U104N16RRBPSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
45 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DDB6U134N16RRBPSA1 Infineon Technologies
LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211 transistors - igbts - modules
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: DDB6U134N16RRBPSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics
Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DGTD120T25S1PT
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DGTD120T25S1PT Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
WG50N65DHWQ
IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247; Trans IGBT Chip N-CH 650V 91A 278mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
WEEN Symbol Producenta: WG50N65DHWQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXXH110N65C4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH110N65C4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
23 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXXH30N60B3D1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH30N60B3D1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DGTD65T15H2TF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DGTD65T15H2TF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: FS35R12W1T4BOMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
14 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: FS35R12W1T4BOMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWT40HP65FB STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube; STGWT40HP65FB;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWT40HP65FB Obudowa dokładna: TO-3P |
Magazyn zewnętrzny:
1140 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
3700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD7NC60HT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD7NC60HT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję