Tranzystory IGBT (wyszukane: 333)

1    4  5  6  7  8  9  10  11  12    12
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Montaż
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IKW50N65SS5XKSA1 INDUSTRY 14
IKW50N65SS5XKSA1 || IKW50N65SS5XKSA1  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW50N65SS5XKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,7755
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IKW75N65SS5XKSA1 INDUSTRY 14
IKW75N65SS5XKSA1 || IKW75N65SS5XKSA1  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW75N65SS5XKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
480 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 31,1068
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IKWH30N65WR6 IGBT TRENCH IKWH30N65WR6XKSA1
IKWH30N65WR6XKSA1 || IKWH30N65WR6  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKWH30N65WR6XKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
236 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2138
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
STGWA25M120DF3 || STGWA25M120DF3 STMicroelectronics TO247
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWA25M120DF3
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,8817
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWA25M120DF3
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,8101
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWA25M120DF3
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,0368
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
DGTD120T25S1PT Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
DGTD120T25S1PT || DGTD120T25S1PT TO247
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DGTD120T25S1PT
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
Ilość szt. 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,4997
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IXXH110N65C4 Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH110N65C4 || IXXH110N65C4  
Producent:
LITTELFUSE
Symbol Producenta:
IXXH110N65C4
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
23 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 29,5284
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IXXH30N60B3D1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH30N60B3D1 || IXXH30N60B3D1  
Producent:
LITTELFUSE
Symbol Producenta:
IXXH30N60B3D1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
175 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 25,1520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IXXH60N65B4H1 Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXXH60N65B4H1 || IXXH60N65B4H1  
Producent:
LITTELFUSE
Symbol Producenta:
IXXH60N65B4H1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
30 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 38,8101
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
LITTELFUSE
Symbol Producenta:
IXXH60N65B4H1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
90 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 26,7391
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
DGTD65T15H2TF Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
DGTD65T15H2TF || DGTD65T15H2TF  
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DGTD65T15H2TF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8567
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FS35R12W1T4BOMA1 || FS35R12W1T4BOMA1  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
FS35R12W1T4BOMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
5 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 117,8731
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGWT40HP65FB STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube; STGWT40HP65FB;
STGWT40HP65FB || STGWT40HP65FB STMicroelectronics  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWT40HP65FB
Obudowa dokładna:
TO-3P
 
Magazyn zewnetrzny:
2040 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9487
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGF10M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF10M65DF2 || STGF10M65DF2  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF10M65DF2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1839
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF10M65DF2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1002
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGF10H60DF Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STGF10H60DF || STGF10H60DF  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF10H60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
10550 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7263
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF10H60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
10150 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5296
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGF10H60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6219
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGD7NC60HT4 Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
STGD7NC60HT4 || STGD7NC60HT4  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGD7NC60HT4
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2273
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGB20N45LZAG Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB20N45LZAG || STGB20N45LZAG  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB20N45LZAG
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7563
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGB20M65DF2 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB20M65DF2 || STGB20M65DF2  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB20M65DF2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0792
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB20M65DF2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7848
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGB19NC60HDT4 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB19NC60HDT4 || STGB19NC60HDT4  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB19NC60HDT4
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0123
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGB18N40LZT4 Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB18N40LZT4 || STGB18N40LZT4  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB18N40LZT4
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGB15H60DF Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
STGB15H60DF || STGB15H60DF  
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB15H60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5299
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGB15H60DF
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6586
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
STGWA75H65DFB2 Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3; Transistors - IGBTs - Single; STGW75H65DFB2-4;
STGWA75H65DFB2 || STGWA75H65DFB2 TO247
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWA75H65DFB2
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
5010 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,7963
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STGWA75H65DFB2
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
687 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,1669
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN TO 3P
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-15
Ilość szt.: 90
                     
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN TO247
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-15
Ilość szt.: 90
                     
SGT40N60FD2PT TO-3PN SILAN TO 3PN
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKW08N120CS7 IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
IKW08N120CS7 TO247
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
15T65 Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
15T65 TO220iso
                         
Pozycja dostępna na zamówienie
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-31
Ilość szt.: 50
                     
IKWH100N65EH Tranzystor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
IKWH100N65EH TO247
  650V 20V 140A 400A 427W 199nC TO247 THT INFINEON -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKWH40N65EH7 Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
IKWH40N65EH7 TO247
  650V 20V 80A 160A 208W 81nC TO247 THT INFINEON -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
IKWH75N65EH7 Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
IKWH75N65EH7 TO247
  650V 20V 80A 300A 341W 150nC TO247 THT INFINEON -55°C ~ 150°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SL15T65FF SLKOR Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
SL15T65FF SLKOR TO220iso
  650V 20V 30A 60A 48W 4,5V ~ 6,5V 61nC TO220iso THT SLKOR -40°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
SL50T120FZ SLKOR Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
SL50T120FZ SLKOR TO264
  1200V 20V 100A 200A 535W 4,5V ~ 6,5V 311nC TO264 THT SLKOR -55°C ~ 175°C
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    4  5  6  7  8  9  10  11  12    12

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję