Tranzystory IGBT (wyszukane: 333)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKW50N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW50N65SS5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1
INDUSTRY 14
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW75N65SS5XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IKWH30N65WR6
IGBT TRENCH IKWH30N65WR6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKWH30N65WR6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
236 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA25M120DF3 STMicroelectronics
Tranzystor IGBT Chip N-CH 1,2kV; 25A; 375W; TO247-3;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA25M120DF3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DGTD120T25S1PT
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DGTD120T25S1PT Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXXH110N65C4
Trans IGBT Chip N-CH 650V 234A 880000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH110N65C4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
23 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXXH30N60B3D1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH30N60B3D1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXXH60N65B4H1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 116A 455000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH60N65B4H1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXXH60N65B4H1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DGTD65T15H2TF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DGTD65T15H2TF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: FS35R12W1T4BOMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWT40HP65FB STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube; STGWT40HP65FB;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWT40HP65FB Obudowa dokładna: TO-3P |
Magazyn zewnetrzny:
2040 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGF10H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGF10H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGD7NC60HT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 70000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGD7NC60HT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB20N45LZAG
Trans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB20N45LZAG Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB20M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB20M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB20M65DF2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB19NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB19NC60HDT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB18N40LZT4
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB18N40LZT4 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGB15H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB15H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGB15H60DF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
STGWA75H65DFB2
Tranzystor: IGBT; 650V; 71A; 357W; TO247-3; Transistors - IGBTs - Single; STGW75H65DFB2-4;
|
||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA75H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5010 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STGWA75H65DFB2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
687 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN
IGBT TRANSISTOR
|
||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-15
Ilość szt.: 90
|
|||||||||||||||
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN
IGBT TRANSISTOR
|
||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-15
Ilość szt.: 90
|
|||||||||||||||
SGT40N60FD2PT TO-3PN SILAN
IGBT TRANSISTOR
|
||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
IKW08N120CS7
IGBT Trench Field Stop 1200 V 21 A 106 W Through Hole PG-TO247-3 IKW08N120CS7XKSA1
|
||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
15T65
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C; SL15T65FF; 15T65SD; MSG15T65FL;
|
||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-03-31
Ilość szt.: 50
|
|||||||||||||||
IKWH100N65EH
Tranzystor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||
650V | 20V | 140A | 400A | 427W | 199nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
IKWH40N65EH7
Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||
650V | 20V | 80A | 160A | 208W | 81nC | TO247 | THT | INFINEON | -40°C ~ 175°C | |||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
IKWH75N65EH7
Tranzystor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
650V | 20V | 80A | 300A | 341W | 150nC | TO247 | THT | INFINEON | -55°C ~ 150°C | |||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
SL15T65FF SLKOR
Trans IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 48W; 4,5V~6,5V; 61nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||
650V | 20V | 30A | 60A | 48W | 4,5V ~ 6,5V | 61nC | TO220iso | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
|||||||||||||||
SL50T120FZ SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję