Tranzystory IGBT (wyszukane: 346)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Montaż
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 428W | 5,0V ~ 7,0V | 142nC | TO247 | BYD | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
DGF30F65M2 DONGHAI
Trans IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 60W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO220iso | Donghai | -45°C ~ 175°C | |||||||||||||
DHG20T65D DONGHAI
Trans IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 40A | 60A | 96W | 4,5V ~ 7,0V | 59nC | TO220iso | Donghai | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
DGN30F65M2 DONGHAI
Trans IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 30V | 60A | 180A | 230W | 5,0V ~ 7,0V | 48nC | TO 3PN | Donghai | -45°C ~ 175°C | |||||||||||||
SL15T120FL SLKOR
Trans IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 30A | 40A | 125W | 4,5V ~ 6,5V | 70nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SL25T120FL SLKOR
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 50A | 60A | 350W | 4,5V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
SL40T120FL SLKOR
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 80A | 160A | 718W | 4,5V ~ 6,5V | 165nC | TO247 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL40T65FL SLKOR
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 160A | 375W | 4,0V ~ 6,0V | 219nC | TO247 | THT | SLKOR | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL50T120FZ SLKOR
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 200A; 535W; 4,5V~6,5V; 311nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 100A | 200A | 535W | 4,5V ~ 6,5V | 311nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
SL75T120FZ SLKOR
Trans IGBT ; 1200V; 30V; 115A; 230A; 625W; 4,5V~6,5V; 270nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 30V | 115A | 230A | 625W | 4,5V ~ 6,5V | 270nC | TO264 | THT | SLKOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C; IM393M6FXKLA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 5V | 10A | 15A | 20W | 13,5V ~ 16,5V | SIP22 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
AOT10B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
13 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 10A | 40A | 163W | 5,6V | 17,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
AOT15B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT15B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 30A | 60A | 167W | 5,6V | 25,4nC | TO220 | THT | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGA60N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C; OBSOLETE
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA60N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
2 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 298W | 4,0V ~ 6,5V | 188nC | TO-3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGA60N65SMD
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA60N65SMD RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA60N65SMD Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnętrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
650V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO 3P | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGAF40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 115W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO-3Piso | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH20N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
52 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 165W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60SFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SFDTU Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SFDTU Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N65UFDTU
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40T120SMD TO-247-3L
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40T120SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH60N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
22 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH75T65UPD TO247AB
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH75T65UPD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG11N120CND
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG11N120CND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 43A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG12N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG12N60A4D RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG12N60A4D RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
1 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1600V | 20V | 60A | 90A | 263W | 4,5V ~ 5,8V | 205nC | TO247 | THT | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP20N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTP20N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | THT | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 24A | 30A | 110W | 4,1V ~ 5,7V | 62nC | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 12A | 18A | 88W | 4,1V ~ 5,7V | 42nC | TO252/3 (DPAK) | SMD | Infineon Technologies | -40°C ~ 175°C |
Tranzystory IGBT
W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.
Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?
Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania.
Mocne i słabe strony tranzystora IGBT
Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą.
IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?
W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:
- napięciem kolektor-emiter,
- napięciem bramka-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
- maksymalną mocą rozpraszania,
- napięciem przewodzenia,
- ładunkiem bramki,
- obudową,
- marką,
- zakresem temperatur, w których mogą pracować.
Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję