Tranzystory polowe (wyszukane: 5438)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002.215;
|
||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1776000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
156532 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA60R125C6 TO220
IPA60R125C6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R125C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
27 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA60R380C6
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube IPA60R380C6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R380C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
433 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA95R450PFD7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R180P7SXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB012N04NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB012N04NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB014N04NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB014N04NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB015N06NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB015N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB016N08NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB016N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB018N06NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB018N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB024N08NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB024N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB029N06NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB029N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB040N08NF2SATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB040N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB043N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB055N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB720P15LM
Trans MOSFET P-CH 150V 4.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R IPB720P15LMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB720P15LMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPC30S2SN08N
SP000986752 IPC30S2SN08NX2MA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPC30S2SN08NX2MA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD020N03LF2S
SP005873557 IPD020N03LF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD020N03LF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD023N03LF2S
SP005918676 IPD023N03LF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD023N03LF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD023N04NF2S
Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD023N04NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD023N04NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD028N06NF2S
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD028N06NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD028N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD028N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD030N03LF2S
SP005881803 IPD030N03LF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD030N03LF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD040N03LF2S
SP005873577 IPD040N03LF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD040N03LF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD040N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD040N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD040N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD040N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD047N03LF2S
SP005873565 IPD047N03LF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD047N03LF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD053N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD053N08N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD053N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
262500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD053N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD055N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD055N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD055N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD11DP10NM
TRENCH >=100V PG-TO252-3 P-Channel Power MOSFET IPD11DP10NMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD11DP10NMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD130N10NF2S
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD130N10NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD130N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD18DP10LM
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD18DP10LMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD18DP10LMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.