Tranzystory polowe (wyszukane: 5445)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSM2NB60CP ROG
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2NB60CP ROG Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
6050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM320N03CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM320N03CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 40mOhm | 5,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM320N03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 40mOhm | 5,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM3401CX RFG
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM3401CX RFG Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
11700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM3404CX RFG
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 43mOhm; 5,8A; 750mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 43mOhm | 5,8A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM35N10CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM35N10CP ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 42mOhm | 32A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM480P06CP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM480P06CP ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 65mOhm | 20A | 40W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM480P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 65mOhm | 20A | 40W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM480P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 65mOhm | 20A | 40W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM4936DCS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM4936DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 53mOhm | 5,9A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM4936DCS RLG Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1925 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 53mOhm | 5,9A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM500P02CX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM500P02CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM500P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM500P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM650P03CX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM650P03CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
11300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM680P06CP
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6675 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
TSM6963SDCA
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 68mOhm; 4,5A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM6963SDCA RVG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 68mOhm | 4,5A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM850N06CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM850N06CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM850N06CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM850N06CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM900N06CW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM900N06CW RPG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM900N06CW RPG Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM900N06CW RPG Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM9926DCS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM9926DCS RLG Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM9933DCS
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9933DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
UJ3C120040K3S UnitedSiC
Tranzystor N-JFET/N-MOSFET; 1200V; 25V; 73mOhm; 65A; 429W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: UJ3C120040K3S/SAMPLE;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
USCi Symbol Producenta: UJ3C120040K3S RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET/N-MOSFET | 1200V | 25V | 73mOhm | 65A | 429W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | UnitedSiC | |||||||||||||
UM8516
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 4A; 700mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 75mOhm | 4A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | Union Semiconductor | |||||||||||||
UM8517P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 1,4A; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 1,4A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Union Semiconductor | |||||||||||||
VNB20N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB20N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB20N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB20N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB20N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNB35N07
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB35N07-E; VNB35N0713TR; VNB35N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB35N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB35N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB35N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VND10N06
Tranzystor OMNI-FET; 60V; 300mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND10N06-E; VND10N06TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 60V | 300mOhm | 10A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND10N06TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 60V | 300mOhm | 10A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND10N06TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
187500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 60V | 300mOhm | 10A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VND5N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 280mOhm; 5A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND5N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
370017 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
97500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
3575 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNP10N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 140mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
23900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1087 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNP20N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
74512 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1860 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
21802 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNP35N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP35N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
41570 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP35N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
40075 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP35N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNS3NV04D-E
Tranzystor 2xOMNI-FET; 40V; 240mOhm; 3,5A; 4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNS3NV04DP-E; VNS3NV04DPTR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
155 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xOMNI-FET | 40V | 240mOhm | 3,5A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS3NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 240mOhm | 3,5A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS3NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1055000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 240mOhm | 3,5A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNS3NV04DPTR-E Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
382500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xOMNI-FET | 40V | 240mOhm | 3,5A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
XP231P02013R-G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 8V; 8Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 8V | 8Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Torex | |||||||||||||
Stan magazynowy:
485 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 485 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 8V | 8Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Torex | |||||||||||||
XP232N03013R-G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,5Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Torex | |||||||||||||
XPH4R10ANB,L1XHQ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6,2mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6,2mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 Advance (5x5) | TOSHIBA | |||||||||||||
XPH6R30ANB,L1XHQ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9,5mOhm; 45A; 132W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9,5mOhm | 45A | 132W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 Advance (5x5) | TOSHIBA |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.