Tranzystory polowe (wyszukane: 5445)

1    70  71  72  73  74  75  76  77  78    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
TSM2NB60CP ROG Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
TSM2NB60CP ROG RoHS || TSM2NB60CP ROG || TSM2NB60CP ROG DPAK
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM2NB60CP ROG RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5300 1,5900 1,3500 1,1700 1,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 4,4Ohm 2A 44W SMD -55°C ~ 150°C DPAK TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM2NB60CP ROG
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
6050 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3237
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 4,4Ohm 2A 44W SMD -55°C ~ 150°C DPAK TAI-SEM
TSM320N03CX Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM320N03CX RFG;
TSM320N03CX RoHS || TSM320N03CX RFG || TSM320N03CX SOT23
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM320N03CX RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6510 0,5050 0,4660 0,4460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 40mOhm 5,5A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM320N03CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6600 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4773
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 12V 40mOhm 5,5A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
TSM3401CX RFG Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
TSM3401CX RFG RoHS || TSM3401CX RFG || TSM3401CX RFG SOT23-3
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM3401CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6680 0,5180 0,4780 0,4580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM3401CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
11700 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4698
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 TAI-SEM
TSM3404CX RFG Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 43mOhm; 5,8A; 750mW; -55°C ~ 150°C;
TSM3404CX RFG RoHS || TSM3404CX RFG SOT23-3
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM3404CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6680 0,5180 0,4780 0,4580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 43mOhm 5,8A 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 TAI-SEM
TSM35N10CP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM35N10CP ROG;
TSM35N10CP RoHS || TSM35N10CP TO252 (DPACK)
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM35N10CP RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,3000 4,0500 3,3500 2,9400 2,7900
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 42mOhm 32A 83,3W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) TAI-SEM
TSM480P06CP Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM480P06CP ROG;
TSM480P06CP ROG RoHS || TSM480P06CP ROG || TSM480P06CP TO252 (DPACK)
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM480P06CP ROG RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 65mOhm 20A 40W SMD -50°C ~ 150°C TO252 (DPACK) TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM480P06CP ROG
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 65mOhm 20A 40W SMD -50°C ~ 150°C TO252 (DPACK) TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM480P06CP ROG
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 65mOhm 20A 40W SMD -50°C ~ 150°C TO252 (DPACK) TAI-SEM
TSM4936DCS Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM4936DCS RLG;
TSM4936DCS RLG RoHS || TSM4936DCS RLG || TSM4936DCS SOP08
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM4936DCS RLG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4600 1,1200 1,0100 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 53mOhm 5,9A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM4936DCS RLG
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
1925 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 30V 20V 53mOhm 5,9A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
TSM500P02CX Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM500P02CX RFG;
TSM500P02CX RFG RoHS || TSM500P02CX RFG || TSM500P02CX SOT23
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM500P02CX RFG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,6950 0,4870 0,4230 0,3960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 10V 85mOhm 4,7A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM500P02CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 10V 85mOhm 4,7A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM500P02CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4099
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 10V 85mOhm 4,7A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
TSM650P03CX Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM650P03CX RFG;
TSM650P03CX RoHS || TSM650P03CX RFG || TSM650P03CX SOT23
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P03CX RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,6530 0,4280 0,3860 0,3410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,1A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P03CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,1A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P03CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
11300 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4232
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,1A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM650P03CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,1A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
TSM680P06CP MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG;
TSM680P06CP RoHS || TSM680P06CP ROG || TSM680P06CP TO252 (DPACK)
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM680P06CP RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 68mOhm 18A 20W SMD -55°C ~ 150°C TO-252 Taiwan Semiconductor
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM680P06CP ROG
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
6675 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 68mOhm 18A 20W SMD -55°C ~ 150°C TO-252 Taiwan Semiconductor
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM680P06CP ROG
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 68mOhm 18A 20W SMD -55°C ~ 150°C TO-252 Taiwan Semiconductor
TSM6963SDCA Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 68mOhm; 4,5A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM6963SDCA RVG;
TSM6963SDCA RVG RoHS || TSM6963SDCA TSSOP08
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM6963SDCA RVG RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7800 1,7600 1,3900 1,2700 1,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 20V 12V 68mOhm 4,5A 1,14W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 TAI-SEM
TSM850N06CX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM850N06CX RFG;
TSM850N06CX RPG RoHS || TSM850N06CX RFG || TSM850N06CX SOT23
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM850N06CX RPG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,5780 0,4480 0,4130 0,3960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 3A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM850N06CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4773
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 3A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM850N06CX RFG
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 3A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TAI-SEM
TSM900N06CW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM900N06CW RPG;
TSM900N06CW RPG RoHS || TSM900N06CW RPG || TSM900N06CW SOT223
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM900N06CW RPG RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9000 1,8200 1,5100 1,3500 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 11A 4,17W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM900N06CW RPG
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 11A 4,17W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM900N06CW RPG
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
4900 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 11A 4,17W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TAI-SEM
TSM9926DCS Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
TSM9926DCS RLG RoHS || TSM9926DCS RLG || TSM9926DCS SOP08
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM9926DCS RLG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1300 1,9600 1,6300 1,4500 1,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 40mOhm 6A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
 
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM9926DCS RLG
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
4175 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 20V 12V 40mOhm 6A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
TSM9933DCS Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9933DCS RLG;
TSM9933DCS RLG RoHS || TSM9933DCS SOP08
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol Producenta:
TSM9933DCS RLG RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4000 1,4600 1,1200 1,0100 0,9610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 20V 12V 85mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 TAI-SEM
UJ3C120040K3S UnitedSiC Tranzystor N-JFET/N-MOSFET; 1200V; 25V; 73mOhm; 65A; 429W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: UJ3C120040K3S/SAMPLE;
UJ3C120040K3S RoHS || UJ3C120040K3S UnitedSiC TO247
Producent:
USCi
Symbol Producenta:
UJ3C120040K3S RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 15+ 30+
cena netto (PLN) 157,1000 131,9000 125,3000 122,2000 118,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET/N-MOSFET 1200V 25V 73mOhm 65A 429W THT -55°C ~ 175°C TO247 UnitedSiC
UM8516 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 4A; 700mW; -55°C ~ 150°C;
UM8516 RoHS || UM8516 SOT23-6
Producent:
UNION
Symbol Producenta:
UM8516 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-6/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6800 0,4460 0,4020 0,3550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 75mOhm 4A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 Union Semiconductor
UM8517P Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 1,4A; 300mW; -55°C ~ 150°C;
UM8517P RoHS || UM8517P SOT323
Producent:
UNION
Symbol Producenta:
UM8517P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6800 0,4460 0,4020 0,3550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 150mOhm 1,4A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Union Semiconductor
VNB20N07-E Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB20N07TR-E;
VNB20N07TR-E || VNB20N07-E RoHS || VNB20N07-E TO263 (D2PAK)
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB20N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB20N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB20N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB20N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,0300 10,3500 9,3600 8,8700 8,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
VNB35N07 Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB35N07-E; VNB35N0713TR; VNB35N07TR-E;
VNB35N07-E RoHS || VNB35N07TR-E || VNB35N07 TO263 (D2PAK)
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB35N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 24,1100 20,4100 18,1800 16,7400 16,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 125W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB35N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 125W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB35N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 125W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNB35N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 125W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) STMicroelectronics
VND10N06 Tranzystor OMNI-FET; 60V; 300mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND10N06-E; VND10N06TR-E;
VND10N06 RoHS || VND10N06TR-E || VND10N06 TO252
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND10N06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8500 4,4700 3,7000 3,2400 3,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 60V 300mOhm 10A 35W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND10N06TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4485
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 60V 300mOhm 10A 35W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND10N06TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
187500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1985
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 60V 300mOhm 10A 35W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VND5N07-E Tranzystor OMNI-FET; 70V; 280mOhm; 5A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND5N07TR-E;
VND5N07-E RoHS || VND5N07TR-E || VND5N07-E || VND5N07-E TO252
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND5N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO252
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
cena netto (PLN) 9,2300 7,0500 6,2400 5,8800 5,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 280mOhm 5A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND5N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
370017 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 280mOhm 5A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND5N07TR-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
97500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 280mOhm 5A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VND5N07-E
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
3575 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 280mOhm 5A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VNP10N07-E Tranzystor OMNI-FET; 70V; 140mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
VNP10N07-E RoHS || VNP10N07-E || VNP10N07-E TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP10N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 9,4200 7,7200 6,7300 6,1200 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 140mOhm 10A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP10N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 140mOhm 10A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP10N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
23900 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 140mOhm 10A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP10N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1087 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 140mOhm 10A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
VNP20N07-E Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C;
VNP20N07-E RoHS || VNP20N07-E || VNP20N07-E TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP20N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,5700 11,7200 10,6400 9,9500 9,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP20N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
74512 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP20N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1860 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,5796
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP20N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
21802 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 70mOhm 20A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
VNP35N07-E Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 40W; -55°C ~ 150°C;
VNP35N07-E RoHS || VNP35N07-E || VNP35N07-E TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP35N07-E RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,0000 15,1700 14,0700 13,3600 13,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP35N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
41570 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP35N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
40075 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNP35N07-E
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
OMNI-FET 70V 35mOhm 35A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
VNS3NV04D-E Tranzystor 2xOMNI-FET; 40V; 240mOhm; 3,5A; 4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNS3NV04DP-E; VNS3NV04DPTR-E;
VNS3NV04DPTR-E RoHS || VNS3NV04DPTR-E || VNS3NV04D-E SOP08
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS3NV04DPTR-E RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
155 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6700 6,4300 5,7200 5,2700 5,1100
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xOMNI-FET 40V 240mOhm 3,5A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS3NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 240mOhm 3,5A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS3NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
1055000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 240mOhm 3,5A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
VNS3NV04DPTR-E
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
382500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xOMNI-FET 40V 240mOhm 3,5A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
XP231P02013R-G Tranzystor P-MOSFET; 30V; 8V; 8Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
XP231P02013R-G RoHS || XP231P02013R-G SOT323
Producent:
TOREX
Symbol Producenta:
XP231P02013R-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 5+ 15+ 75+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9950 0,5680 0,3220 0,2500 0,2210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 8V 8Ohm 200mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Torex
 
Producent:
TOREX
Symbol Producenta:
XP231P02013R-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
485 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 485+ 2425+
cena netto (PLN) 0,9950 0,5040 0,3040 0,2420 0,2210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
485
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 8V 8Ohm 200mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Torex
XP232N03013R-G Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Transistors - FETs, MOSFETs - Single
XP232N03013R-G RoHS || XP232N03013R-G SOT323
Producent:
TOREX
Symbol Producenta:
XP232N03013R-G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 400+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9950 0,5030 0,3030 0,2450 0,2210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,5Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Torex
XPH4R10ANB,L1XHQ Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6,2mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 175°C;
XPH4R10ANB,L1XHQ RoHS KA5.. || XPH4R10ANB,L1XHQ SOP08 Advance (5x5)
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
XPH4R10ANB,L1XHQ RoHS KA5..
Obudowa dokładna:
SOP08 Advance (5x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 11,2600 9,6800 8,7600 8,3100 8,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 6,2mOhm 70A 170W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 Advance (5x5) TOSHIBA
XPH6R30ANB,L1XHQ Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9,5mOhm; 45A; 132W; -55°C ~ 175°C;
XPH6R30ANB,L1XHQ RoHS KA4.. || XPH6R30ANB,L1XHQ SOP08 Advance (5x5)
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
XPH6R30ANB,L1XHQ RoHS KA4..
Obudowa dokładna:
SOP08 Advance (5x5)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 9,8000 8,1700 7,2400 6,7900 6,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 9,5mOhm 45A 132W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 Advance (5x5) TOSHIBA
1    70  71  72  73  74  75  76  77  78    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.