Tranzystory polowe (wyszukane: 5438)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD19DP10NM
Trans MOSFET P-CH 100V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD19DP10NMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD19DP10NMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD220N06L3G
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD220N06L3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD220N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD25DP06NM
Trans MOSFET P-CH 60V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD25DP06NMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD25DP06NMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD30N12S3L31
OptiMOS -T Power-Transistor IPD30N12S3L31ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N12S3L31ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N12S3L31ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD33CN10NG
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD33CN10NGATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD33CN10NGATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD42DP15LM
TRENCH >=100V PG-TO252-3 PChannel Power Mosfet IPD42DP15LMATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD42DP15LMATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD50N04S410
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD50N04S410ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50N04S410ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD50P03P4L11
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 IPD50P03P4L11ATMA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50P03P4L11ATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R180P7SE8228
600VCool MOS P7 Power Transistor IPD60R180P7SE8228AUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R180P7SE8228AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R950C6
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IPD60R950C6ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R950C6ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R950C6ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD70N12S311
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 IPD70N12S311ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD70N12S311ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPDQ65R099CFD7A
AUTOMOTIVE_COOLMOS IPDQ65R099CFD7AXTMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 750 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF009N04NF2S
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R IPF009N04NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF009N04NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF010N06NF2S
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R IPF010N06NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF010N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF010N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF012N06NF2S
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R IPF012N06NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF012N06NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF013N04NF2S
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R IPF013N04NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF013N04NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF014N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 37A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF014N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF014N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF017N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF017N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF017N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF023N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 29A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF023N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF023N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF039N08NF2S
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF039N08NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF039N08NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF042N10NF2S
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF042N10NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF042N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPF050N10NF2S
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R IPF050N10NF2SATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPF050N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPG20N10S4L35A
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 IPG20N10S4L35AATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPG20N10S4L35AATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP120P04P4L03AKSA2
Trans MOSFET P-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R Automotive AEC-Q101 IPP120P04P4L03AKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP120P04P4L03AKSA2 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10883 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP120N04S402AKSA1
IPP120N04S402AKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP120N04S402AKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP019N06NF2SAKMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP019N06NF2SAKMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP013N04NF2SAKMA1
IPP013N04NF2SAKMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP013N04NF2SAKMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK045N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK100N65E-T1-GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SIHK125N60EF-T1GE3 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.