Tranzystory polowe (wyszukane: 5438)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN10B08E6
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 1,9A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ZXMN10B08E6TA;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 500mOhm | 1,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN10B08E6TA Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 500mOhm | 1,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN10B08E6QTA Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 500mOhm | 1,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN10B08E6TA Obudowa dokładna: SOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 500mOhm | 1,9A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN2A01FTA
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 225mOhm; 2,2A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 2,2A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2A01FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 2,2A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2A01FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 2,2A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2A01FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 2,2A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN2A14FTA DIODES
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 110mOhm | 4,1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2A14FTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 110mOhm | 4,1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN2F30FHTA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2F30FHTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 65mOhm | 4,9A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Zetex | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2F30FHTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 65mOhm | 4,9A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Zetex | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2F30FHTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 65mOhm | 4,9A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Zetex | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN2F30FHTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 65mOhm | 4,9A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Zetex | |||||||||||||
ZXMN3A06DN8TA DIODES
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 6,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 6,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN3A06DN8TA Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 6,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN3F30FHTA
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
490 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 4,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN3F30FHTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 4,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN3F30FHTA Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 4,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN4A06GTA DIODES
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 75mOhm; 7A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 75mOhm | 7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN4A06GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 75mOhm | 7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN4A06GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 75mOhm | 7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN6A07FTA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 350mOhm | 1,4A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 350mOhm | 1,4A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 350mOhm | 1,4A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A07FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2364000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 350mOhm | 1,4A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN6A08E6TA DIODES
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
98 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,5A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT26 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A08E6TA Obudowa dokładna: SOT26 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,5A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT26 | DIODES | |||||||||||||
ZXMN6A09GTA DIODES
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 7,5A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Zetex Symbol Producenta: ZXMN6A09GTA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 7,5A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A09GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 7,5A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A09GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 7,5A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMN6A09GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 7,5A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
ZXMP10A13FTA Diodes
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 1,45Ohm; 700mA; 806mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1760 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,45Ohm | 700mA | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,45Ohm | 700mA | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
138000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,45Ohm | 700mA | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A13FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,45Ohm | 700mA | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
ZXMP10A17GTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 450mOhm; 2,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 450mOhm | 2,4A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP10A17GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 450mOhm | 2,4A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
ZXMP3A16DN8 DIODES
Tranzystor 2xP-MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP3A16DN8TA RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
135 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Zetex | |||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Zetex | |||||||||||||
ZXMP4A16GTA DIODES
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 100mOhm; 6,4A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 100mOhm | 6,4A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP4A16GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 100mOhm | 6,4A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP4A16GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 100mOhm | 6,4A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
ZXMP4A57E6TA
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 150mOhm; 3,7A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 150mOhm | 3,7A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT26 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP4A57E6TA Obudowa dokładna: SOT26 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 150mOhm | 3,7A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT26 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP4A57E6TA Obudowa dokładna: SOT26 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 150mOhm | 3,7A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT26 | DIODES | |||||||||||||
ZXMP6A13GTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 595mOhm | 2,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A13GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
41000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 595mOhm | 2,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMP6A13GTA Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
46000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 595mOhm | 2,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||||||||||
ZXMS6004FFTA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,5W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23F | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004FFTA Obudowa dokładna: SOT23F |
Magazyn zewnetrzny:
252000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23F | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004FFTA Obudowa dokładna: SOT23F |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23F | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004FFTA Obudowa dokładna: SOT23F |
Magazyn zewnetrzny:
387000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23F | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOK9N90 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
8880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5542V-AU
PJQ5542V-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5542V-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5544-AU
PJQ5544-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5544-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5546V-AU
PJQ5546V-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5546V-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5548V-AU
PJQ5548V-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5548V-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5858A-AU
PJQ5858A-AU_R2_000A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5858A-AU_R2_000A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ5948-AU
PJQ5948-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5948-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ4466AP-AU
PJQ4466AP-AU_R2-000A1
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ4466AP-AU_R2_000A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ4546VP-AU
PJQ4546VP-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ4546VP-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ4548P-AU
PJQ4548P-AU_R2_002A1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ4548P-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
PJQ4548VP-AU
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ4464AP-AU_R2_000A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
Producent:
PANJIT Symbol Producenta: PJQ5542-AU_R2_002A1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.