Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD6685 Fairchild
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 30mOhm; 40A; 52W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 40A | 52W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 30mOhm | 40A | 52W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD7N20TM
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD7N20TM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDD86102
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 36A; 62W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDD86102LZ;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86102 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 36A | 62W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD86369
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK FDD86369-F085
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86369-F085 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDG6301N
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6301N Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDG6304P
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6304P Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDG6335N
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6335N Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDG8850NZ
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG8850NZ Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDH055N15A Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 167A; 429W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDH055N15A Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 5,9mOhm | 167A | 429W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDH3632
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDH3632 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
434 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDH45N50F
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 FDH45N50F-F133
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDH45N50F-F133 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
26979 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 450 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDM3622
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDM3622 Obudowa dokładna: MLP08 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMA1024NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA1024NZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMA1029PZ
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA1029PZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMA2002NZ
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA2002NZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA2002NZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMA291P
Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA291P Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA291P Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA291P Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMA507PZ
Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMA507PZ Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMB3800N
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMB3800N Obudowa dokładna: MLP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMB3800N Obudowa dokładna: MLP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMC2523P
P-MOSFET 150V 3A
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC2523P Obudowa dokładna: WDFN08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 150V | 30V | 1,5Ohm | 3A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | WDFN08 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC4435BZ Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMC5614P ON SEMICONDUCTOR
P-Channel PowerTrenchR MOSFET -60V, -13.5A, 100mOhm OBSOLETE
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC5614P Obudowa dokładna: MLP08 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMC8010DC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1.28mOhm; 37A; 3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC8010DC Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 1,28mOhm | 37A | 30W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN8 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDMC86244
N-MOSFET 150V 2.8A
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC86244 Obudowa dokładna: WDFN08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMC86244 Obudowa dokładna: WDFN08 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDME1024NZT
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-Pin MicroFET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDME1024NZT Obudowa dokładna: MLP06 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS6673BZ
Trans MOSFET P-CH Si 30V 15.2A 8-Pin PQFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS6673BZ Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS7682
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS7682 Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS8320LDC
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS8320LDC Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS8333L
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS8333L Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin Power 56 EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86101 Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86101 Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86102LZ
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86102LZ Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.