Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMS86200DC
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86200DC Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86202
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP FDMS86202ET120
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86202 Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86500DC
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86500DC Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86500L
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin Power 56 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86500L Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86520L
Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86520L Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS86550ET60
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power QFN EP T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86550ET60 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDMS8820
Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin Power 56 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS8820 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN028N20
N-Channel 20V 6.1A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SuperSOT-3
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN028N20 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN304P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
207000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
243000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDN304PZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN304PZ Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||
FDN308P
P-MOSFET 1.5A 20V 0.5W 0.125Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN308P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
390000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN308P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN308P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN327N
N-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.07Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN327N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN340P
P-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.07Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 70mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 70mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN340P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 70mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||
Tranz. FDN342P
P-MOSFET 2A 20V 0.5W 0.08Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN342P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN352AP
P-MOSFET 1.3A 30V 0.5W 0.18Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
161920 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN352AP Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN357N
N-MOSFET 1.9A 30V 0.5W 0.06Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN357N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
354000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN357N Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Tranz. FDN359BN
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359BN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDN5630
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 180mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5630 Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
258000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDP2552
N-MOSFET 37A 150V 150W 0.036Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 36mOhm | 27A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1110 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 36mOhm | 27A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||
FDP2572
N-MOSFET 29A 150V 135W 0.054Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2572 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 54mOhm | 29A | 135W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2572 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 54mOhm | 29A | 135W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDP33N25
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP33N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3080 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
FDP3632
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP3632 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 22mOhm | 80A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||
FDP3652
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 61A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP3652 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 43mOhm | 61A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDS2672
N-MOSFET 3.9A 200V 2.5W 0.07Ω FDS2672-F085
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
FDS3992 Fairchild
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 123mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3992 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 100V | 20V | 123mOhm | 4,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3992 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 100V | 20V | 123mOhm | 4,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||
FDS4559
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 94mOhm/190mOhm; 4,5A/3,5A; 2W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4559-F085; FDS4559_F085;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4559 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4559 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDS4935A
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4935A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-23
Ilość szt.: 50
|
|||||||||||||||
FDS5670
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 27mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS5670 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 27mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDS6930B
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 62mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS6930BTR; FDS6930BCT;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS6930B Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 62mOhm | 5,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDS6982AS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm/35mOhm; 8,6A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS6982AS Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 8,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.