Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC6310P
2P-MOSFET 2.2A 20V 0.7W 0.125Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6310P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 125mOhm | 2,2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6312P
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 225mOhm; 2,3A; 960mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6312P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 8V | 225mOhm | 2,3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6312P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 8V | 225mOhm | 2,3A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6318P
2P-MOSFET 2.5A 12V 0.7W 0.090Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6318P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 12V | 8V | 90mOhm | 2,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6321C
N/P-MOSFET 0.68A 25V 0.7W 0.45Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6321C Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 8V | 450mOhm | 680mA | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6321C Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 8V | 450mOhm | 680mA | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6321C Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 8V | 450mOhm | 680mA | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6324L
Integrated Load Switch 1.5A 3÷20V
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6324L Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6324L Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||||||
FDC6329L
Integrated Load Switch 2.5A 2.5÷8V
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6329L Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||||||
FDC6333C
N/P-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6333C Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 16V | 95mOhm | 2,5A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6333C Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 16V | 95mOhm | 2,5A | 960mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC638APZ
P-MOSFET 4.5A 20V 0.8W 0.043Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC638APZ Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 4,5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC638APZ Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 4,5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC638APZ Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 43mOhm | 4,5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6401N
2N-MOSFET 3A 20V 0.7W 0.07Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6401N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 3A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6401N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 3A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6401N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 3A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC640P
P-MOSFET 4.5A 20V 0.8W 0.053Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC640P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDC642P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDC642P-F085; FDC642P-F085P;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC642P Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC645N
N-MOSFET 5.5A 30V 0.8W 0.026Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC645N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 25mOhm | 5,5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC645N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 25mOhm | 5,5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC653N
N-MOSFET 5A 30V 0.8W 0.035Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC653N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 5A | 800mW | SMD | -55°C ~ 155°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC655BN
N-MOSFET 6.3A 30V 0.8W 0.025Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC655BN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 25mOhm | 6,3A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC655BN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 25mOhm | 6,3A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC655BN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 25mOhm | 6,3A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC6561AN
2N-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 95mOhm | 2,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 95mOhm | 2,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 95mOhm | 2,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC855N
N-MOSFET 6.1A 30V 0.8W 0.27Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC855N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 27mOhm | 6,1A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC855N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 27mOhm | 6,1A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC855N Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 27mOhm | 6,1A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC8601
N-MOSFET 2.7A 100V 0.8W 0.109Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC8601 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 109mOhm | 2,7A | 800mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDC8602
2N-MOSFET 1.2A 100V 0.69W 0.35Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC8602 Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 100V | 20V | 350mOhm | 1,2A | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | Fairchild | |||||
FDD10AN06A0
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 27mOhm; 50A; 135W; -55°C ~ 175°C; FDD10AN06A0-F085; FDD10AN06A0;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD10AN06A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 27mOhm | 50A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Fairchild | |||||
FDD16AN08A0 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 37mOhm; 50A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD16AN08A0-F085;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD16AN08A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 37mOhm | 50A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD16AN08A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
62500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 37mOhm | 50A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD16AN08A0 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 37mOhm | 50A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD18N20LZ
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD18N20LZ Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDD2572 FAIRCHAILD
N-MOSFET 150V 4A 135W 54mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2572 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 54mOhm | 4A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2572 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 54mOhm | 4A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Fairchild | |||||
FDD2582 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 172mOhm; 21A; 95W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD2582 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 172mOhm | 21A | 95W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD3672 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 68mOhm; 44A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD3672; FDD3672-F085; FDD3672_F085;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD3672 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 68mOhm | 44A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD390N15A Fairchild
N-MOSFET 150V 26A 40mΩ 63W
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD390N15A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 40mOhm | 26A | 63W | SMD | -55°C ~ 150°C | D-PAK | Fairchild | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD390N15A Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 40mOhm | 26A | 63W | SMD | -55°C ~ 150°C | D-PAK | Fairchild | |||||
FDD4141
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18,7mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 18,7mOhm | 58A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 18,7mOhm | 58A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD4243 ON Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 69mOhm; 24A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDD4243-F085; FDD4243-F085P; FDD4243_F085;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4243 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 69mOhm | 24A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4243 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 69mOhm | 24A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4243 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 69mOhm | 24A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD4685 ON Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 40A; 69W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD4685 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 42mOhm | 40A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FDD5N50NZTM
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD5N50NZTM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD5N50NZTM Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FDD6637 ON Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6637 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 35V | 25V | 19mOhm | 55A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6637 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 35V | 25V | 19mOhm | 55A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD6637 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 35V | 25V | 19mOhm | 55A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.