Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP17P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP17P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 120mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP17P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 120mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP17P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1869 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 120mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FQP32N20C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP32N20C Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 82mOhm | 28A | 156W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ON SEMICONDUCTOR | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP32N20C Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
920 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 82mOhm | 28A | 156W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ON SEMICONDUCTOR | |||||
FQP45N15V2
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP45N15V2 Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
458 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FQP8N80C
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP8N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
970 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FQP9N90C
N-MOSFET 8A 900V 205W 1.4Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP9N90C Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1825 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP9N90C Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP9N90C Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
FQPF10N20C
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF10N20C Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FQPF13N50CF
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF13N50CF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
595 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FQPF19N20C
Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF19N20C Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF19N20C Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1680 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
FQPF3N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF3N80C Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 4,8Ohm | 3A | 39W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||
FQPF47P06 Fairchild
P-MOSFET 60V 30A 62W
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF75329D3S
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A HUF75329D3ST (T/R)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75329D3ST Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF75339P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 12mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75339P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 12mOhm | 75A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75339P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 12mOhm | 75A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
HUF75545P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 10mOhm; 75A; 270W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75545P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 10mOhm | 75A | 270W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75545P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 10mOhm | 75A | 270W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75545P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 10mOhm | 75A | 270W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
HUF75545S3S
Trans MOSFET N-CH 80V 75A HUF75545S3ST (T&R)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75545S3ST Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF75639P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 25mOhm; 56A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75639P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1512 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 25mOhm | 56A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
HUF75639S3S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639S3ST (T&R)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75639S3ST Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF75652G3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 8mOhm; 75A; 515W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75652G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 8mOhm | 75A | 515W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
HUF75852G3
Trans MOSFET N-CH 150V 75A
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75852G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF76407D3ST
Trans MOSFET N-CH 60V 12A (HUF76407DK8T SOIC8 *OBSOLETE); (HUF76407P3 TO220AB *OBSOLETE)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76407D3ST Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
HUF76429S3ST
Trans MOSFET N-CH 60V 47A (HUF76429S3S *OBSOLETE) (HUF76429D3ST *OBSOLETE) (HUF76429P3 *OBSOLETE)
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76429S3ST Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMBF170R1K0M1
Tranzystor N-MOSFET; 1700V; 20V; 2,037Ohm; 5,2A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IMBF170R1K0M1XTMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMBF170R1K0M1XTMA1 Obudowa dokładna: TO263 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1700V | 20V | 2,037Ohm | 5,2A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | Infineon Technologies | ||||||
IMW120R030M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A IMW120R030M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R030M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
390 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW120R060M1H
IMW120R060M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R060M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
332 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R060M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
54 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW120R090M1H
1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET IMW120R090M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R090M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW120R140M1H
IMW120R140M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R140M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1185 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW120R350M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A IMW120R350M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW120R350M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
390 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW65R027M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R027M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW65R027M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW65R048M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW65R048M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW65R072M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R072M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW65R072M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMW65R107M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R107M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMW65R107M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.