Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)

1    93  94  95  96  97  98  99  100  101    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
FQP17P06 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C;
FQP17P06 || FQP17P06 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP17P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8056
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 120mOhm 17A 79W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP17P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 120mOhm 17A 79W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP17P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1869 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6144
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 120mOhm 17A 79W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
FQP32N20C Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 28A; 156W; -55°C ~ 150°C;
FQP32N20C || FQP32N20C TO220FP
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP32N20C
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3000
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 30V 82mOhm 28A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP32N20C
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
920 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,7309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 30V 82mOhm 28A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ON SEMICONDUCTOR
FQP45N15V2 Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
FQP45N15V2 || FQP45N15V2 TO220AB
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP45N15V2
Obudowa dokładna:
TO220AB
 
Magazyn zewnetrzny:
458 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FQP8N80C Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
FQP8N80C || FQP8N80C TO220AB
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP8N80C
Obudowa dokładna:
TO220AB
 
Magazyn zewnetrzny:
970 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,2869
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FQP9N90C N-MOSFET 8A 900V 205W 1.4Ω
FQP9N90C || FQP9N90C TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP9N90C
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1825 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,4775
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP9N90C
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1300 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,9257
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP9N90C
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,2721
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
FQPF10N20C Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
FQPF10N20C || FQPF10N20C TO220FP
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF10N20C
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9238
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FQPF13N50CF Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
FQPF13N50CF || FQPF13N50CF TO220FP
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF13N50CF
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
595 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,1609
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FQPF19N20C Trans MOSFET N-CH 200V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
FQPF19N20C || FQPF19N20C TO220FP
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF19N20C
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0104
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF19N20C
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
1680 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8591
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
FQPF3N80C Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 39W; -55°C ~ 150°C;
FQPF3N80C || FQPF3N80C TO220iso
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF3N80C
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4430
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 30V 4,8Ohm 3A 39W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Fairchild
FQPF47P06 Fairchild P-MOSFET 60V 30A 62W
FQPF47P06 || FQPF47P06 Fairchild TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF47P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
Ilość szt. 67+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,4484
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF75329D3S Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A HUF75329D3ST (T/R)
HUF75329D3ST || HUF75329D3S TO252
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75329D3ST
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8202
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF75339P3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 12mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C;
HUF75339P3 || HUF75339P3 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75339P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6601
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 55V 20V 12mOhm 75A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75339P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
250 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9452
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 55V 20V 12mOhm 75A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
HUF75545P3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 10mOhm; 75A; 270W; -55°C ~ 175°C;
HUF75545P3 || HUF75545P3 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75545P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0065
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 20V 10mOhm 75A 270W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75545P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 20V 10mOhm 75A 270W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75545P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,7047
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 20V 10mOhm 75A 270W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
HUF75545S3S Trans MOSFET N-CH 80V 75A HUF75545S3ST (T&R)
HUF75545S3ST || HUF75545S3S TO263 (D2PAK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75545S3ST
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,5193
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF75639P3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 25mOhm; 56A; 200W; -55°C ~ 175°C;
HUF75639P3 || HUF75639P3 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75639P3
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1512 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8125
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 25mOhm 56A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
HUF75639S3S Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639S3ST (T&R)
HUF75639S3ST || HUF75639S3S TO263 (D2PAK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75639S3ST
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1035
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF75652G3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 8mOhm; 75A; 515W; -55°C ~ 175°C;
HUF75652G3 || HUF75652G3 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75652G3
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,6276
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 8mOhm 75A 515W THT -55°C ~ 175°C TO247 ON SEMICONDUCTOR
HUF75852G3 Trans MOSFET N-CH 150V 75A
HUF75852G3 || HUF75852G3 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF75852G3
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
90 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 34,7232
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF76407D3ST Trans MOSFET N-CH 60V 12A (HUF76407DK8T SOIC8 *OBSOLETE); (HUF76407P3 TO220AB *OBSOLETE)
HUF76407D3ST || HUF76407D3ST TO252 (DPACK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF76407D3ST
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8787
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
HUF76429S3ST Trans MOSFET N-CH 60V 47A (HUF76429S3S *OBSOLETE) (HUF76429D3ST *OBSOLETE) (HUF76429P3 *OBSOLETE)
HUF76429S3ST || HUF76429S3ST TO263 (D2PAK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HUF76429S3ST
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4282
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMBF170R1K0M1 Tranzystor N-MOSFET; 1700V; 20V; 2,037Ohm; 5,2A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IMBF170R1K0M1XTMA1;
IMBF170R1K0M1XTMA1 || IMBF170R1K0M1 TO263
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Obudowa dokładna:
TO263
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,4255
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 1700V 20V 2,037Ohm 5,2A 68W SMD -55°C ~ 175°C Infineon Technologies
IMW120R030M1H Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1 || IMW120R030M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R030M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
390 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 37,6350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW120R060M1H IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1 || IMW120R060M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R060M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
332 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,5707
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R060M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
54 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 21,3340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW120R090M1H 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1 || IMW120R090M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R090M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,6404
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW120R140M1H IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1 || IMW120R140M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R140M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1185 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,4577
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW120R350M1H Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R350M1HXKSA1 || IMW120R350M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW120R350M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
390 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,4105
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW65R027M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R027M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1 || IMW65R027M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW65R027M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 31,8553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW65R048M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R048M1HXKSA1 || IMW65R048M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW65R048M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 20,2142
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW65R072M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R072M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1 || IMW65R072M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW65R072M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 15,9366
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMW65R107M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1 || IMW65R107M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMW65R107M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,0874
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    93  94  95  96  97  98  99  100  101    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.