Tranzystory polowe (wyszukane: 5429)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD079N06L3GBTMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,9mOhm; 50A; 79W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD079N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,9mOhm | 50A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||
IPD082N10N3G INFINEON
N-MOSFET 100V 80A 8.2mΩ 125W IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GBTMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD082N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD082N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD100N04S402ATMA1
N-Channel 40V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD100N04S402ATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD135N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD135N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD180N10N3G Infineon
N-MOSFET 100V 43A 71W 18mΩ IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD180N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||
IPD22N08S2L50ATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD22N08S2L50ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD30N03S4L09ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 30A; 42W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N03S4L09ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
115000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 16V | 9mOhm | 30A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | ||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N03S4L09ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 16V | 9mOhm | 30A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | ||||
IPD30N06S2L23ATMA3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 23mOhm; 30A; 100W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD30N06S2L23ATMA3 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
390000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 23mOhm | 30A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||
IPD320N20N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 32mOhm; 34A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD320N20N3GATMA1; IPD320N20N3GBTMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD320N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
127500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 32mOhm | 34A | 136W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD50P04P4L11ATMA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50P04P4L11ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 10V | 10,6mOhm | 50A | 58W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | INFINEON | |||||
IPD50R380CE Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 900mOhm; 14,1A; 98W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R380CEATMA1; IPD50R380CEAUMA1; IPD50R380CEBTMA1; IPD50R380CE;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R380CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
910000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 900mOhm | 14,1A | 98W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R380CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 900mOhm | 14,1A | 98W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||
IPD50R500CE INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,18Ohm; 7,6A; 57W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R500CEATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R500CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 1,18Ohm | 7,6A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||
IPD50R650CEATMA1
Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD50R650CEAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD50R650CEAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD600N25N3G Infineon
N-MOSFET 250V 25A 136W 60mΩ IPD600N25N3GBTMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD600N25N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
DMP3085LSD-13
Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSD-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R1K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K0PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,978Ohm | 4,7A | 26W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R1K5PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,892Ohm; 3,6A; 22W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 2,892Ohm | 3,6A | 22W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
DMP3085LSS-13
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP3085LSS-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R210PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R210PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R210PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 386mOhm | 16A | 64W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R280CFD7ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 280mOhm; 9A; 51W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280CFD7ATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 280mOhm | 9A | 51W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | INFINEON | |||||
IPD60R280PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R280PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 549mOhm | 12A | 51W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R2K0C6ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 4,68Ohm; 2,4A; 22,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R2K0C6BTMA1; SP001117714;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K0C6ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 4,68Ohm | 2,4A | 22,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R2K0PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R2K1CE
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R2K1CEAUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R360PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 715mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R360PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R360PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 715mOhm | 10A | 43W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R3K3C6 Infineon Tech
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R3K3C6ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Infineon Technologies | |||||
IPD60R400CE Infineon
N-MOSFET 600V 10.3A 83W 400mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R400CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD60R600PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R600PFD7SAUMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R600PFD7SAUMA1 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,219Ohm | 6A | 31W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | |||||
IPD60R800CEATMA1 Infineon
N-MOSFET 600V 5.6A 48W 800mΩ IPD60R800CEAUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R800CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD60R800CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD65R400CE Infineon
N-MOSFET 650V 15.1A 400mΩ 118W IPD65R400CEAUMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD65R400CEAUMA1 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.