Tranzystory polowe (wyszukane: 5429)

1    96  97  98  99  100  101  102  103  104    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IPD079N06L3GBTMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,9mOhm; 50A; 79W; -55°C~175°C;
IPD079N06L3GATMA1 || IPD079N06L3GBTMA1 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD079N06L3GATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4507
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 7,9mOhm 50A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
IPD082N10N3G INFINEON N-MOSFET 100V 80A 8.2mΩ 125W IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GBTMA1
IPD082N10N3GATMA1 || IPD082N10N3G INFINEON TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD082N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5665
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD082N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6729
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD100N04S402ATMA1 N-Channel 40V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
IPD100N04S402ATMA1 || IPD100N04S402ATMA1 TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD100N04S402ATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5755
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD135N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD135N08N3GATMA1 || IPD135N08N3GATMA1 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD135N08N3GATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2104
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD180N10N3G Infineon N-MOSFET 100V 43A 71W 18mΩ IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1
IPD180N10N3GATMA1 || IPD180N10N3G Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD180N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5600
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 43A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD22N08S2L50ATMA1 Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD22N08S2L50ATMA1 || IPD22N08S2L50ATMA1  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD22N08S2L50ATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD30N03S4L09ATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 30A; 42W; -55°C~175°C;
IPD30N03S4L09ATMA1 || IPD30N03S4L09ATMA1 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD30N03S4L09ATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
115000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9234
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 10V 16V 9mOhm 30A 42W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD30N03S4L09ATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9415
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 10V 16V 9mOhm 30A 42W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
IPD30N06S2L23ATMA3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 23mOhm; 30A; 100W; -55°C~175°C;
IPD30N06S2L23ATMA3 || IPD30N06S2L23ATMA3 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD30N06S2L23ATMA3
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
390000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6136
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 55V 20V 23mOhm 30A 100W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
IPD320N20N3G Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 32mOhm; 34A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD320N20N3GATMA1; IPD320N20N3GBTMA1;
IPD320N20N3GATMA1 || IPD320N20N3G DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD320N20N3GATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
127500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2816
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 20V 32mOhm 34A 136W SMD -55°C ~ 175°C DPAK Infineon Technologies
IPD50P04P4L11ATMA2 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
IPD50P04P4L11ATMA2 || IPD50P04P4L11ATMA2 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD50P04P4L11ATMA2
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 40V 10V 10,6mOhm 50A 58W SMD -55°C ~ 175°C DPAK INFINEON
IPD50R380CE Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 900mOhm; 14,1A; 98W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R380CEATMA1; IPD50R380CEAUMA1; IPD50R380CEBTMA1; IPD50R380CE;
IPD50R380CEAUMA1 || IPD50R380CE Infineon TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD50R380CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
910000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 550V 30V 900mOhm 14,1A 98W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD50R380CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2862
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 550V 30V 900mOhm 14,1A 98W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
IPD50R500CE INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,18Ohm; 7,6A; 57W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD50R500CEATMA1;
IPD50R500CEAUMA1 || IPD50R500CE INFINEON TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD50R500CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0833
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 550V 30V 1,18Ohm 7,6A 57W SMD -55°C ~ 150°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD50R650CEATMA1 Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD50R650CEAUMA1;
IPD50R650CEAUMA1 || IPD50R650CEATMA1 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD50R650CEAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9887
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD600N25N3G Infineon N-MOSFET 250V 25A 136W 60mΩ IPD600N25N3GBTMA1
IPD600N25N3GATMA1 || IPD600N25N3G Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD600N25N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9049
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
DMP3085LSD-13 Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A Automotive 8-Pin SO T/R
DMP3085LSD-13 || DMP3085LSD-13  
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP3085LSD-13
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3109
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD60R1K0PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K0PFD7SAUMA1;
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 || IPD60R1K0PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1360
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 1,978Ohm 4,7A 26W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R1K5PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,892Ohm; 3,6A; 22W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 || IPD60R1K5PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0211
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 2,892Ohm 3,6A 22W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
DMP3085LSS-13 Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R
DMP3085LSS-13 || DMP3085LSS-13  
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP3085LSS-13
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2529
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD60R210PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 386mOhm; 16A; 64W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R210PFD7SAUMA1;
IPD60R210PFD7SAUMA1 || IPD60R210PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R210PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9754
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 386mOhm 16A 64W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R280CFD7ATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 280mOhm; 9A; 51W; -55°C~150°C;
IPD60R280CFD7ATMA1 || IPD60R280CFD7ATMA1 TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R280CFD7ATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3562
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 280mOhm 9A 51W SMD -55°C ~ 150°C DPAK INFINEON
IPD60R280PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 549mOhm; 12A; 51W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R280PFD7SAUMA1;
IPD60R280PFD7SAUMA1 || IPD60R280PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3189
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 549mOhm 12A 51W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R2K0C6ATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 4,68Ohm; 2,4A; 22,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R2K0C6BTMA1; SP001117714;
IPD60R2K0C6ATMA1 || IPD60R2K0C6ATMA1 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R2K0C6ATMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0704
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 4,68Ohm 2,4A 22,3W SMD -55°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R2K0PFD7S Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 || IPD60R2K0PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9283
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD60R2K1CE Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD60R2K1CEAUMA1 || IPD60R2K1CE  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R2K1CEAUMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6135
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD60R360PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 715mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R360PFD7SAUMA1;
IPD60R360PFD7SAUMA1 || IPD60R360PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R360PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7925
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 715mOhm 10A 43W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R3K3C6 Infineon Tech Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 7,72Ohm; 1,7A; 18,1W; -55°C ~ 150°C;
IPD60R3K3C6ATMA1 || IPD60R3K3C6 Infineon Tech TO252
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R3K3C6ATMA1
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9489
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 30V 7,72Ohm 1,7A 18,1W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Infineon Technologies
IPD60R400CE Infineon N-MOSFET 600V 10.3A 83W 400mΩ
IPD60R400CEAUMA1 || IPD60R400CE Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R400CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4841
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD60R600PFD7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,219Ohm; 6A; 31W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R600PFD7SAUMA1;
IPD60R600PFD7SAUMA1 || IPD60R600PFD7S DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R600PFD7SAUMA1
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3910
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 1,219Ohm 6A 31W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
IPD60R800CEATMA1 Infineon N-MOSFET 600V 5.6A 48W 800mΩ IPD60R800CEAUMA1
IPD60R800CEAUMA1 || IPD60R800CEATMA1 Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R800CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9551
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD60R800CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD65R400CE Infineon N-MOSFET 650V 15.1A 400mΩ 118W IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1 || IPD65R400CE Infineon TO252
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD65R400CEAUMA1
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3966
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    96  97  98  99  100  101  102  103  104    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.